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公开(公告)号：CN113430503B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110801121.6
申请日：2021-07-15
申请人： 连科半导体有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构，包括多个依次叠放的舟片；所述舟片设有多个镂空区域，所述镂空区域用于安装硅片，且所述镂空区域周围设有至少一个卡住所述硅片的勾点；所述镂空区域安装硅片后，相临两个舟片之间形成独立的且密闭的镀膜通道，所述镀膜通道的延伸方向平行于所述舟片的长度方向，所述舟片在其长度方向的两端分别加工有与所述镀膜通道连通的进气孔和出气孔；所述镀膜通道内通入镀膜气体或惰性气体。本发明单个设备上可以镀多种膜，节省了倒片时间，同时减少倒片过程的划伤，提升了良率。同时避免镀膜过程暴露在空气中，减少污染。
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公开(公告)号：CN118007237A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410093610.4
申请日：2024-01-23
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶硅拉晶收尾的控制方法，它涉及单晶硅生产工艺技术领域；它包括如下步骤：在提升机上安装称重模块，通过称重模块监控收尾拉晶的重量变化Δm；通过测径仪测出单晶硅开始收尾的半径R1；根据晶体长度值和液面下降高度测出单晶硅拉晶收尾的高度变化Δh；根据公式：#imgabs0#计算出R2；通过R1‑R2计算出Δr；提升速度V的控制，若Δh＝2Δr，提升速度合理；若Δr>1/2Δh，提升速度过高，需将提升速度降低；若Δr＜1/2Δh，提升速度过低，需将提升速度上升，本发明通过#imgabs1#的公式能快速计算出单晶硅拉晶收尾接触硅液面的半径R2，再通过Δh与2倍的(R1‑R2)进行比较，来控制晶体提拉时的速度，保证晶体提拉速度的稳定性，提升晶体拉晶收尾品质稳定的可控性。
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公开(公告)号：CN114383434B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210039985.3
申请日：2022-01-14
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅合成领域，具体的说是炉室充气除尘系统，包括炉体、平台架和炉室抽气管道；所述炉体与平台架之间固定连接；所述炉体的炉顶盘的表面固连有第一充气管；所述炉体的炉底盘的表面固连有第二充气管；所述平台架的表面固连有总抽气管；所述总抽气管固连有管路沉积仓；所述炉体的中部位置固连有吸尘罩；所述吸尘罩的排气口固连有炉室抽气管道；通过本发明有效的实现了对合成炉的炉内挥发物以及粉尘等物质的清理，通过上下对流的加压气流，大幅提高了对挥发物以及粉尘清理效果，提高对炉内清理效率，并且清理后的气体会通过负压抽吸的方式快速导出，在合成炉开炉前，保证了对其内部的快速充分净化。
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公开(公告)号：CN118773719A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411003872.3
申请日：2024-07-25
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于区熔炉保温技术领域，具体的说是一种区熔炉保温装置，包括套设在单晶棒与多晶棒之间的主加热线圈、套设在多晶棒上的辅助加热装置，辅助加热装置包括辅助加热线圈，多晶棒穿过辅助加热线圈，辅助加热线圈上下两端均连接有导线，套设在辅助加热线圈上的冷热交换罩，两组水管，两组水管一端均固定连接冷热交换罩外圈，并且水管连通冷热交换罩内置的腔体；在对多晶棒降温过程中，由于腔体内的水处于不断的流动状态，使水一直处于低温性，从而保持水对热量吸收的高效性，不仅提高对多晶棒降温的效率，同时水将多晶棒散发的热量吸收，实现对热能的回收，从而达到节约资源的目的。
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公开(公告)号：CN118600540A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410967682.7
申请日：2024-07-18
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅单晶生长技术领域，具体的说是一种PVT法磁场控制气流导向的碳化硅单晶生长装置，包括壳体，所述壳体的一侧转动设置有闭合门，所述壳体的底端固接有加热单元，所述壳体与石墨坩埚之间设置有两组调节组件，每组所述调节组件均包括固接在壳体一侧的第一电机；固接在第一电机输出端的往复螺杆；且定位轴的圆周面开设有往复螺纹，所述定位轴的顶端滑动设置有转动环，所述转动环的表面转动有若干磁场线圈，通过转动环和磁场线圈的设置，解决了现有的长晶技术中，随着生长速率提高与生长尺寸增大，坩埚内部气流的扩散与对流难以控制，坩埚内气流紊乱，生长中的晶体易产生微观缺陷，产生影响晶体质量的问题。
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公开(公告)号：CN118835311A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411121939.3
申请日：2024-08-15
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于卧式碳化炉技术领域，具体的说是一种卧式碳化硅外延炉，包括单层石英炉室一及对称设置在单层石英炉室一两侧中心表面上的密封法兰，活动搭接在密封法兰外侧表面上的滑块，活动套接在滑块、密封法兰和单层石英炉室一内侧壁面上的石英管，所述滑块的外侧表面上固定安装有端口全防护挤压单元。本发明将石英管的一端对接到套筒的内侧壁面上，同时配合套筒内侧壁面上的限位槽对石英管的一端位置进行限定，同时配合套筒内侧壁面上的贴合软条一增加与石英管表面之间的摩擦力，套筒内圈一层的贴合软条一可以有效且均匀的覆盖在石英管的表面上，进而增加石英管与套筒之间在位置上的限定。
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公开(公告)号：CN118531503A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410681115.5
申请日：2024-05-29
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅生产技术领域，具体的说是一种碳化硅连续加料装置，包括反应箱，所述反应箱的一侧转动连接有密封板，固接在储料箱顶端的第一电机，所述第一电机的输出端固接有第一往复螺杆，所述第一往复螺杆传动连接有第二往复螺杆，所述固定箱对应第一往复螺杆和第二往复螺杆的位置开设有第二槽体；以及螺纹连接在往复螺杆圆周面的推杆，所述推杆的下表面转动连接有转动板，通过储料箱等的设置，解决了当碳化硅使用一定程度后反应容器中的硅气相组分便会减少，这时硅单晶的生长速率就会降低，然后就由工作人员将反应容器的进行暂停，然后向反应容器内添加碳化硅粉料，该加料过程繁琐，使硅单晶的生产时间变长，产生生产效率降低的问题。
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公开(公告)号：CN118480869A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410747296.7
申请日：2024-07-10
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明是一种碳化硅晶片腐蚀装置及工艺，装置结构包括真空腔，真空腔侧面为烘箱，真空腔分别连接氧气输入管和外接空气的排气管，真空腔内设镍坩埚，镍坩埚内装有KOH溶液，装有晶片的托盘浸没在镍坩埚的KOH溶液。本发明的优点：1)可通入氧气，使因长时间存放而潮解的KOH仍保持与未潮解KOH一致的腐蚀效率，降低了腐蚀成本，降低了强碱的使用量；2)可通过循环回收装置循环使用氧气，进一步降低腐蚀成本，且绿色节能；3）使用时只需调整加热温度与加热时间，操作简单，腐蚀过后的晶片可直接由位错仪表征数据，效果直观。
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公开(公告)号：CN118292103A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410409614.9
申请日：2024-04-07
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅技术领域，具体的说是一种碳化硅化学气相沉积系统混气装置，包括石英方管；所述石英方管的内部开设有五个通道；所述石英方管的出气端设置有反应腔；所述石英方管与反应腔之间通过连接单元连通；所述反应腔的内部底面固接有固定单元；所述固定单元上固定有衬底片；所述石英方管的五个通道依次通入C2H4+N2+H2、TCS+H2、C2H4+N2+H2、TCS+H2和C2H4+N2+H2；通过将碳源气体和硅源气体进行分隔单独进气的方式，避免了碳源气体和硅源气体在刚进入反应腔便由于高温发生大量反应，从而导致反应腔前端沉积大量碳化硅颗粒；通过减少反应腔前端碳化硅沉积，继而可降低碳化硅颗粒脱落概率，延长设备的维护周期提高设备利用率。
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公开(公告)号：CN117721526A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311626866.9
申请日：2023-11-30
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明是一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，通过改变传统的石英管材质及内侧镀层的方式，在改善径向温度梯度的同时可降低生产能耗，节约生产成本。包括不透明石英管体和镀在不透明石英管体内壁上的镜面银膜镀层。可使石墨感应发热产生的热量反射回热场内部，改善SiC晶体生长过程中径向温度梯度过大的问题；同时可有效降低系统通过石英筒辐射散失的热量，实现节约功耗、降低成本的目的。
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