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公开(公告)号：CN118773719A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411003872.3
申请日：2024-07-25
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于区熔炉保温技术领域，具体的说是一种区熔炉保温装置，包括套设在单晶棒与多晶棒之间的主加热线圈、套设在多晶棒上的辅助加热装置，辅助加热装置包括辅助加热线圈，多晶棒穿过辅助加热线圈，辅助加热线圈上下两端均连接有导线，套设在辅助加热线圈上的冷热交换罩，两组水管，两组水管一端均固定连接冷热交换罩外圈，并且水管连通冷热交换罩内置的腔体；在对多晶棒降温过程中，由于腔体内的水处于不断的流动状态，使水一直处于低温性，从而保持水对热量吸收的高效性，不仅提高对多晶棒降温的效率，同时水将多晶棒散发的热量吸收，实现对热能的回收，从而达到节约资源的目的。
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公开(公告)号：CN118835311A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411121939.3
申请日：2024-08-15
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于卧式碳化炉技术领域，具体的说是一种卧式碳化硅外延炉，包括单层石英炉室一及对称设置在单层石英炉室一两侧中心表面上的密封法兰，活动搭接在密封法兰外侧表面上的滑块，活动套接在滑块、密封法兰和单层石英炉室一内侧壁面上的石英管，所述滑块的外侧表面上固定安装有端口全防护挤压单元。本发明将石英管的一端对接到套筒的内侧壁面上，同时配合套筒内侧壁面上的限位槽对石英管的一端位置进行限定，同时配合套筒内侧壁面上的贴合软条一增加与石英管表面之间的摩擦力，套筒内圈一层的贴合软条一可以有效且均匀的覆盖在石英管的表面上，进而增加石英管与套筒之间在位置上的限定。
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公开(公告)号：CN118531503A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410681115.5
申请日：2024-05-29
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅生产技术领域，具体的说是一种碳化硅连续加料装置，包括反应箱，所述反应箱的一侧转动连接有密封板，固接在储料箱顶端的第一电机，所述第一电机的输出端固接有第一往复螺杆，所述第一往复螺杆传动连接有第二往复螺杆，所述固定箱对应第一往复螺杆和第二往复螺杆的位置开设有第二槽体；以及螺纹连接在往复螺杆圆周面的推杆，所述推杆的下表面转动连接有转动板，通过储料箱等的设置，解决了当碳化硅使用一定程度后反应容器中的硅气相组分便会减少，这时硅单晶的生长速率就会降低，然后就由工作人员将反应容器的进行暂停，然后向反应容器内添加碳化硅粉料，该加料过程繁琐，使硅单晶的生产时间变长，产生生产效率降低的问题。
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公开(公告)号：CN118292103A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410409614.9
申请日：2024-04-07
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅技术领域，具体的说是一种碳化硅化学气相沉积系统混气装置，包括石英方管；所述石英方管的内部开设有五个通道；所述石英方管的出气端设置有反应腔；所述石英方管与反应腔之间通过连接单元连通；所述反应腔的内部底面固接有固定单元；所述固定单元上固定有衬底片；所述石英方管的五个通道依次通入C2H4+N2+H2、TCS+H2、C2H4+N2+H2、TCS+H2和C2H4+N2+H2；通过将碳源气体和硅源气体进行分隔单独进气的方式，避免了碳源气体和硅源气体在刚进入反应腔便由于高温发生大量反应，从而导致反应腔前端沉积大量碳化硅颗粒；通过减少反应腔前端碳化硅沉积，继而可降低碳化硅颗粒脱落概率，延长设备的维护周期提高设备利用率。
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公开(公告)号：CN118422322A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410536051.X
申请日：2024-04-30
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体的说是连续加料式碳化硅晶体生长装置，包括储料箱，储料箱下方设置有加料机构，加料机构一侧设置有第二保温箱，第二保温箱内设置有长晶坩埚，长晶坩埚内顶部设置有用于安装碳化硅籽晶的籽晶托台，加料机构包括第一保温箱，第一保温箱位于储料箱下方，固定安装在第一保温箱内的加料坩埚，第一阀门，第一阀门上端固定连接储料箱的下端口，本装置为双坩埚设置，使原料的升华分解与凝结晶体能够同时进行，原料在加料坩埚内提前被升华分解为多种气相成分，使进入到长晶坩埚内的多种气相成分可以直接进行凝结晶体，不仅提高了原料的补充效率，同时节约了大量时间，提高了碳化硅晶体生长效率。
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公开(公告)号：CN117626418A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410004486.X
申请日：2024-01-03
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置及方法，包括：PE桶盖和石墨坩埚盖，所述PE桶盖的顶部安装有密封圈，所述密封圈的左右两端外侧设置有压紧固定装置，所述PE桶盖的顶端开设有第一通孔，所述石墨坩埚盖的顶端开设有第二通孔，所述PE桶盖与所述石墨坩埚盖之间设置有PE膜袋。该种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，可以起到防止碳化硅发散则造成减损，提高利用率，避免外部灰尘细菌进入物料内部，对碳化硅纯净度造成影响的作用，实现无尘化装料。
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公开(公告)号：CN221544825U
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202420061179.0
申请日：2024-01-10
申请人： 连科半导体有限公司
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/687 , C30B23/02
摘要： 本实用新型属于碳化硅外延技术领域，具体的说是一种水平碳化硅外延设备的自动加载装置，包括放片腔；衬底盒放置台设置在所述放片腔内部，且衬底盒放置台靠近放片腔前端侧面；寻边器设置在所述放片腔内部，机械手臂安装在放片腔的内底面上，加载腔设置在放片腔的一侧；传输腔设置在所述加载腔的一侧；通过机械手臂结构设计替代人工放片，杜绝人为因素造成的良损，提高效率并降低生产成本；解决现有的人工放片由于不同操作人员手法不一致，甚至同一操作人员不同状态下操作手法也存在差异，容易造成衬底晶圆污染，最终导致外延质量较差甚至报废；以及人工放片增大用人成本，同时效率也较为低下的问题。
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公开(公告)号：CN221094374U
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202323029281.7
申请日：2023-11-09
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本实用新型是一种单晶炉多电极同步升降机构，其结构包括安装在炉底盘底面上的电极导向机构、升降驱动机构和升降导向机构，升降驱动机构连接电极导向机构和升降导向机构，电极导向机构共两个以上，每个电极导向机构包括一根电极，所有电极与炉底盘上方的加热器连接，升降导向机构包括滑动板、线轴承和导向轴，所有电极靠近底端处连接同一滑动板，滑动板上装有两个以上直线轴承，每个直线轴承升降连接一导向轴，导向轴顶端固定在炉底盘底面上，所有导向轴底端固定在底部固定板上。电极的升降由滑动板带动，滑动板升降式沿多个导向轴通过直线轴承滑动，可保证稳定性避免晃动。
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公开(公告)号：CN220828713U
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202322272693.7
申请日：2023-08-23
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种区熔炉双导轨移动机构，包括腔体，所述腔体顶部固定安装有过渡板，且过渡板顶部两侧的外壁上均布置有X向移动导轨，所述X向移动导轨的上方滑动连接有X向导轨滑块，且X向导轨滑块顶部固定安装有水平设置的夹层固定板，所述夹层固定板顶部两侧的外壁上均布置有Y向直线导轨，且Y向直线导轨的上方滑动连接有Y向导轨滑块，所述Y向导轨滑块的顶部固定安装有提拉框，所述过渡板一侧的外壁上固定安装有X向电动推杆支架，所述提拉框的一侧外壁上固定安装有与X向电动推杆支架相垂直的Y向电动推杆支架。本实用新型采用X向移动导轨和Y向直线导轨作为导向，两层导轨间增加夹层固定板，极大减小了正压作用导致的机构变形。
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公开(公告)号：CN221778027U
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202420236288.1
申请日：2024-01-31
申请人： 连科半导体有限公司
IPC分类号： C30B25/12 , H01L21/673 , C30B29/36
摘要： 本实用新型属于碳化硅外延技术领域，具体的说是一种适用于8吋碳化硅外延炉的自动取放片托盘，包括圆环、石墨盘主体和可拆分底盘，所述石墨盘主体的顶部靠近外圆位置设置有圆环，所述圆环的内壁设置有若干衬底缺口卡槽，所述石墨盘主体的中心位置嵌设有可拆分底盘，所述可拆分底盘的顶部设置有三个支承体，三个所述支承体用于支撑晶片，通过衬底缺口卡槽可以有效降低晶片与圆环的侧壁之间在各方向上相对滑动的摩擦力，有效降低外延托盘在高速转动的过程中，晶片在惯性或者离心力的作用下脱离圆环的可能性，同时圆环与石墨盘主体平面有一定的高度差，出现异常情况没法自动取放晶片时，也能轻松手动取放片。
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