本发明涉及光电器件技术领域，公开了一种宽光谱响应的自供电光电探测器件及其制备方法。器件包括：P型硅衬底，P型硅衬底底部设置有底电极，顶部设置有SiO2介质层；SiO2介质层上表面中心设置有延伸至P型硅衬底的凹槽，P型硅衬底上与凹槽对应的位置设置有刻蚀形成的硅微纳结构，所述硅微纳结构包括多个二维排列的硅纳米线；SiO2介质层和硅微纳结构表面设置有Ag2Se薄膜层，SiO2介质层表面设置有顶电极。本发明将硅纳米线的光电效应与Ag2Se薄膜层的光热电效应耦合，通过协同效应提高光电探测器的整体性能，使其具有更高的响应度和灵敏度和更宽的光谱响应范围并实现自供电。