发明授权
- 专利标题: 一种跨芯粒ASIC芯片老化预测方法
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申请号: CN202410759307.3申请日: 2024-06-13
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公开(公告)号: CN118330446B公开(公告)日: 2024-08-20
- 发明人: 解维坤 , 戴志坚 , 黄乐天 , 杨万渝 , 梁一凡 , 邓可为
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 甘茂
- 主分类号: G01R31/28
- IPC分类号: G01R31/28 ; G06F13/42
摘要:
本发明属于电数字数据处理领域,具体提供一种跨芯粒ASIC芯片老化预测方法,用以实现了同一SIP微系统中待测ASIC芯片的老化预测。本发明首先针对待测ASIC芯片外的其他运算单元配置工作负载提取模块,用以获取负载数据;然后针对待测ASIC芯片与其他运算单元进行独立的转换接口设计,实现老化数据与负载数据的有效传输,同时,根据负载数据在其他运算单元中选取工作负载最小的运算单元作为最优运算单元,用以实现老化数据的预处理及建模预测;由此,实现了同一SIP微系统中待测ASIC芯片的老化预测,能够避免专用处理器或独立上位机的使用,并且,转换接口的创新设计也使得SIP微系统互联方式更加灵活,使得本发明具有更加广泛的适用性。
公开/授权文献
- CN118330446A 一种跨芯粒ASIC芯片老化预测方法 公开/授权日:2024-07-12