发明公开
- 专利标题: 磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片
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申请号: CN202410307486.7申请日: 2024-03-18
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公开(公告)号: CN118330518A公开(公告)日: 2024-07-12
- 发明人: 刘紫威 , 方东明 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 王浩 , 孙恒超 , 闻志国 , 李良 , 杜君 , 王祥
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 赵小雨
- 主分类号: G01R33/00
- IPC分类号: G01R33/00 ; G01R19/00 ; G01R33/02 ; G01R33/04 ; G01R33/05
摘要:
本发明提供一种磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片,属于传感芯片技术领域。所述磁通门传感芯片的制作方法包括:分别在两片硅片上刻蚀出磁芯槽、螺线管线圈槽和通孔,并至少在其中一片硅片上刻蚀出电极腔,两片硅片上的磁芯槽和通孔的位置相对应,两片硅片上的螺线管线圈槽的方向相反,所述电极腔与螺线管线圈槽连通;将两片硅片进行键合,使其形成闭合的磁芯槽和线圈结构;采用液态金属浇铸技术对所述闭合的线圈结构浇铸,形成磁通门线圈,得到加工好的晶圆;将所述加工好的晶圆进行划片,得到磁通门传感芯片。避免使用电镀工艺,磁芯结构不受限,磁芯厚度可以比电镀工艺提高一个数量级,提高了磁通门传感器的检测灵敏度。