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公开(公告)号：CN118566566A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411058867.2
申请日：2024-08-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网河南省电力公司
Abstract: 本发明公开了一种避雷器阻性电流的检测方法、装置、系统及介质、芯片，涉及电气测量技术领域。检测方法包括：通过电流互感器对避雷器的电流进行采集，得到全电流信号；对全电流信号进行傅里叶变换，得到基波电流和三次谐波电流；根据基波电流的相位和三次谐波电流的相位得到基波电压的相位；确定避雷器相间干扰电流的相位，并根据基波电压的相位得到避雷器容性电流的相位；获取相间干扰电流的有效值和容性电流的有效值，并根据全电流信号、相间干扰电流的相位和有效值，以及容性电流的相位和有效值，得到避雷器的阻性电流波形信号。该方法只需采集电流信号，可减少现场施工安装成本，且可以去除相间干扰的影响，提高了阻性电流检测的准确性。
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公开(公告)号：CN118362774A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410526979.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种单芯片集成式电流传感器及制造方法。所述单芯片集成式电流传感器包括：电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元，电流测量单元基于磁通门技术探测待测电流，电磁感应取能单元基于电磁感应原理产生感应电流，无线通信单元采用偶极子天线技术发送和接收信号；电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元一体化集成于单芯片上。本发明的集成式电流传感器，可以利用微机电系统加工工艺将电流检测、取能、通信等功能结构一体化集成在单芯片上，可批量化生产，生产成本较低，且体积小、重量轻，有利于在长距离输电线路上进行大量布置。
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公开(公告)号：CN114553002A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210054586.4
申请日：2022-01-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: H02M3/335 , H02M7/162 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/12
Abstract: 本发明公开了一种高频链换流器及其振荡抑制方法与装置，其中，高频链换流器由多个级联的第一变换单元、公共磁芯和高频变压器和第二变换单元组成，高频链换流器的振荡抑制方法首先确定高频链换流器的额定容量、高频变压器中公共磁芯的工作频率和第一变换单元中的直流母线电压，然后根据所获取的数据设计吸收电路的参数，以使吸收电路能够对高频链换流器产生的高频振荡进行吸收。由此，本发明的高频链换流器的振荡抑制方法能够通过简单的吸收电路对高频链换流器中的高频振荡信号进行抑制，避免高频振荡对设备运行的不良影响，并降低吸收电路所带来的电能损耗，同时降低电路的设计成本。
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公开(公告)号：CN114553001A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210032532.8
申请日：2022-01-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多有源桥闭锁升压的抑制方法、存储介质、变压器，其中，多有源桥闭锁升压的抑制方法包括以下步骤：在多有源桥中存在闭锁H桥时，确定闭锁H桥的结电容值，并确定至少一个未闭锁H桥与闭锁H桥之间的等值电感值；根据等值电感值和结电容值确定至少一个未闭锁H桥的两相桥臂相位差；根据两相桥臂相位差对至少一个未闭锁H桥进行内移相控制，以对闭锁H桥的端口电压进行抑制。由此，本发明的多有源桥闭锁升压的抑制方法可以保证当多有源桥中出现闭锁H桥时仍然能够处于安全的电流电压下，并且多有源桥中其他未闭锁的H桥也能够正常运行，提高了多有源桥的工作效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN110187174A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910573020.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R23/02
Abstract: 本发明公开了一种快速定点频偏测量方法，其包括：对工频交流信号的频率进行采样，至少采集两个周期的工频交流信号的频率数据；对采集的前一周期的频率数据以及采集的后一周期的频率数据分别进行离散傅里叶变换，分别获得第一复数和第二复数；根据第一复数和第二复数的数据特性选出一组标识参数；根据第一复数和第一倒数标志获取第一复数的第一弧度值，并且根据第二复数和第二倒数标志获取第二复数的第二弧度值；根据标识参数的组内值查找系数映射表获取第一系数值、第二系数值以及第三系数值；根据本发明的算法计算工频交流信号的频偏。该快速定点频偏测量方法测量效率高、占用硬件资源少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118566566B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411058867.2
申请日：2024-08-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网河南省电力公司
Abstract: 本发明公开了一种避雷器阻性电流的检测方法、装置、系统及介质、芯片，涉及电气测量技术领域。检测方法包括：通过电流互感器对避雷器的电流进行采集，得到全电流信号；对全电流信号进行傅里叶变换，得到基波电流和三次谐波电流；根据基波电流的相位和三次谐波电流的相位得到基波电压的相位；确定避雷器相间干扰电流的相位，并根据基波电压的相位得到避雷器容性电流的相位；获取相间干扰电流的有效值和容性电流的有效值，并根据全电流信号、相间干扰电流的相位和有效值，以及容性电流的相位和有效值，得到避雷器的阻性电流波形信号。该方法只需采集电流信号，可减少现场施工安装成本，且可以去除相间干扰的影响，提高了阻性电流检测的准确性。
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公开(公告)号：CN117794348A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311380067.8
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本发明的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN117148249A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311398272.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor： 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器，通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧，聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙，放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接；信号发生模块用于输出不同频率的波形信号；高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值；通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场，使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下，在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号：CN117098447A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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公开(公告)号：CN115897067A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211398438.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 长沙理工大学 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: D04H1/728 , D04H1/4391 , D04H1/4382 , D06C7/04 , H01M4/133 , H01M4/587 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了锑基分级孔碳纤维负极材料及其制备方法和应用。该方法包括：(1)将锑盐、聚丙烯腈、聚乙烯吡咯烷酮和溶剂进行混合处理，得到前驱体溶液；(2)对前驱体溶液进行静电纺丝处理，得到前驱体；(3)对前驱体进行退火处理，得到锑基分级孔碳纤维负极材料。该方法不仅制备工艺简单、产率较高、生产成本较低，还有利于获得容量较高、结构稳定、形貌均一的锑基分级孔碳纤维负极材料。
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