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公开(公告)号:CN119247219A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411212360.8
申请日:2024-08-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 嵩山实验室
Abstract: 本发明涉及磁传感芯片检测领域,提供一种磁传感芯片灵敏度温漂测试装置及测试方法。所述装置包括:温箱、温漂测试模块及信号采集模块,所述温漂测试模块设置在温箱内,所述信号采集模块与所述温漂测试模块连接;所述温漂测试模块包括m个磁场发生模块,每一个磁场发生模块包括永磁体卡座及多个永磁体,所述永磁体卡座设有用于容纳待测磁传感芯片及标准磁传感芯片的通孔,多个永磁体置于所述通孔两侧的永磁体卡座内;所述信号采集模块具有m个通道,用于同时采集m个磁场发生模块对应的待测磁传感芯片及标准磁传感芯片的输出信号。通过本发明可以低成本、高效率的实现线性磁敏传感芯片的灵敏度温漂测试。
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公开(公告)号:CN118330518A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410307486.7
申请日:2024-03-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片,属于传感芯片技术领域。所述磁通门传感芯片的制作方法包括:分别在两片硅片上刻蚀出磁芯槽、螺线管线圈槽和通孔,并至少在其中一片硅片上刻蚀出电极腔,两片硅片上的磁芯槽和通孔的位置相对应,两片硅片上的螺线管线圈槽的方向相反,所述电极腔与螺线管线圈槽连通;将两片硅片进行键合,使其形成闭合的磁芯槽和线圈结构;采用液态金属浇铸技术对所述闭合的线圈结构浇铸,形成磁通门线圈,得到加工好的晶圆;将所述加工好的晶圆进行划片,得到磁通门传感芯片。避免使用电镀工艺,磁芯结构不受限,磁芯厚度可以比电镀工艺提高一个数量级,提高了磁通门传感器的检测灵敏度。
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公开(公告)号:CN117148249B
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202311398272.7
申请日:2023-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor: 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域,提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器,通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧,聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙,放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接;信号发生模块用于输出不同频率的波形信号;高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值;通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场,使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下,在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号:CN117330868A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311285283.4
申请日:2023-09-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网河北省电力有限公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电子设备抗电磁干扰能力测试系统和方法,系统包括:干扰信号发生装置;电波暗室,包括发射天线,发射天线与干扰信号发生装置连接,电波暗室用于放置被干扰电子设备,且被干扰电子设备置于发射天线的近场范围内;控制装置,用于控制干扰信号发生装置发出干扰信号至发射天线,以使发射天线向被干扰电子设备提供超过预设强度的电磁场,以及获取被干扰电子设备的测试信息,并根据测试信息得到被干扰电子设备的抗电磁干扰能力。该系统可产生超过预设强度的电磁场,对置于发射天线近场范围的电子设备进行干扰,检测被干扰电子设备的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号:CN117288980A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202310994800.9
申请日:2023-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/12 , G01P15/18
Abstract: 提供一种三轴加速度计、电子设备,属于传感器技术领域。所述三轴加速度计包括:支撑结构、弹性连接件和惯性质量块;所述惯性质量块通过所述弹性连接件与所述支撑结构相连;所述支撑结构设置有X轴固定电极和Y轴固定电极,所述惯性质量块上设置有X轴可动电极和Y轴可动电极;所述X轴固定电极与X轴可动电极形成X轴电容,所述X轴电容用于检测X轴加速度分量;所述Y轴固定电极与Y轴可动电极形成Y轴电容;所述Y轴电容用于检测Y轴加速度分量;所述弹性连接件上设置有压敏电阻,用于检测Z轴加速度分量。本发明实施例将X/Y轴方向的加速度变化转化为电容的变化,将Z轴方向的加速度变化转化为压敏电阻阻值的变化,提高三个轴向的检测灵敏度。
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公开(公告)号:CN119269869A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202411325722.4
申请日:2024-09-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电力系统电流测量技术领域,具体涉及一种高精度电流传感器及其设计方法和装置、电路结构及芯片,在所述高精度电流传感器中,通过在原有TMR惠斯通电桥的基础上添加了一个精密电阻惠斯通电桥,采用了4个阻值相同的精密电阻,使得4个精密电阻分别并联在原有TMR惠斯通电桥中4个TMR单元的两端,且精密电阻的阻值小于TMR单元的阻值。本公开削弱了由于TMR单元的阻值的不匹配造成的零偏,同时也衰减了由于温度造成的温偏,且由于精密电阻的阻值不受磁场的影响,故由于TMR元件的磁滞带来的影响也被大大减小了,从而实现了有效减小了零偏、温漂与磁滞的高精度电流传感器。
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公开(公告)号:CN117148249A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311398272.7
申请日:2023-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor: 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域,提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器,通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧,聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙,放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接;信号发生模块用于输出不同频率的波形信号;高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值;通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场,使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下,在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号:CN116382983A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202211675702.0
申请日:2022-12-26
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F11/22
Abstract: 本发明公开一种实时监测处理器内存软错误信息的交互系统及监测方法,交互系统包括上位机、管理插件和待测插件,其中,上位机通过监控软件负责实时监视和控制整个测试程序的运行;所述管理插件用于进行测试,负责接收上位机指令,并与所有待测插件进行信息交互;待测插件处理器运行测试程序,具备内存实时错误状态获取、进行统计的功能。此种技术方案能够快速、灵活、可靠地对处理器内存软错误发生进行实时监视、统计和综合评估。
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公开(公告)号:CN115378865A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202210971335.2
申请日:2022-08-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 重庆邮电大学
IPC: H04L45/02 , H04L45/121 , H04L41/12 , H04L41/14
Abstract: 本发明公开了一种AVB流时延的路由调度方法和系统、存储介质、终端设备,所述方法包括:将TSN网络拓扑抽象为网络有向图;建立门控CBS调度机制模型,并根据AVB数据流队列对门控CBS调度机制模型的传输规则进行优化;在接收到路径选择需求时,基于KSP路径选择算法生成路径集,为AVB数据流选择合适的传输路径;根据路径选择结果和流量传输约束条件生成门控调度表。本发明的路由调度方法,能够降低AVB流的端到端延迟,提高AVB流的通信性能。
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公开(公告)号:CN119786925A
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202510010169.3
申请日:2025-01-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 国家电网有限公司 , 国网河北省电力有限公司营销服务中心 , 中国电力科学研究院有限公司
IPC: H01P1/208
Abstract: 本公开涉及滤波器技术领域,具体涉及公开了一种四频带带通滤波器及通信芯片,该四频带带通滤波器包括:一个有四种工作模式的方形SIW谐振腔,模式2和模式1的电场分布的相似度较高,模式4和模式3的电场分布的相似度较高;两个三角形SIW腔,每个三角形SIW腔有两种工作模式;耦合窗位于两个三角形SIW腔和方形SIW谐振腔之间,用于使电磁波信号从方形SIW谐振腔耦合到三角SIW腔内;其中,方形SIW谐振腔的模式1和模式2分别与三角形SIW腔的第一TE模式耦合形成两个谐振单元,方形SIW谐振腔的模式3和模式4分别与三角形SIW腔的第二TE模式耦合形成另外两个谐振单元。该技术方案可以提供小尺寸、低成本的四频带带通滤波器。
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