本发明涉及一种RC‑IGBT器件及其制作方法。所述RC‑IGBT器件中，衬底包括相邻的IGBT形成区和FRD形成区，所述衬底正面形成有横跨所述IGBT形成区和所述FRD形成区的体区、对应于所述IGBT形成区形成的栅极以及位于所述栅极两侧的源区，所述FRD形成区的衬底内形成有具有局部浓度分布的铂掺杂低寿命区。所述铂掺杂低寿命区可以对RC‑IGBT器件中的FRD进行载流子寿命控制，既具有扩铂所具有的复合中心能级位置优化以及高温稳定性好的优点，还具有感生缺陷局部浓度分布所具有的复合中心密度空间分布优化的优点，可以对FRD进行载流子寿命控制以优化FRD性能，并且对IGBT不会造成不良影响，有助于提升RC‑IGBT器件的综合性能。