发明公开
- 专利标题: 正弦参考电压产生电路、芯片及电子设备
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申请号: CN202410386780.1申请日: 2024-04-01
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公开(公告)号: CN118381488A公开(公告)日: 2024-07-23
- 发明人: 李响
- 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 石茵汀
- 主分类号: H03K3/80
- IPC分类号: H03K3/80 ; H02P8/22
摘要:
本公开提出一种正弦参考电压产生电路、芯片及电子设备,涉及电路技术领域,正弦参考电压产生电路中的第一mos管的源极与第二mos管的源极、第四mos管的漏极、第七mos管的源极、第八mos管的源极、第十四mos管的源极以及第十五mos管的源极、第四三极管的集电极,以及第三三极管的集电极相连接;第一mos管的栅极与第二mos管的栅极、第一mos管的漏极相连接,并接入第一输入电流;第二mos管的漏极与第三mos管的漏极相连接,第三mos管的栅极与第四mos管的栅极相连接,第三mos管的源极和第一三极管的集电极相连接。由此,通过对输入电压进行直接检测,通过电阻转换为电流,更加直接稳定,且电路简单可靠。