一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法
摘要:
本发明公开一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法,属于核靶制备技术领域。制备方法包括:在基体上制备碳膜,得到镀有碳膜的基体;在碳膜上制备镉膜,将所述镀有碳膜的基体置于真空蒸发设备中,真空条件下蒸镀镉,蒸镀镉过程中对基体施加双极脉冲偏压,得到碳膜上镀有镉膜的基体;基体脱膜,对所述碳膜上镀有镉膜的基体脱膜,得到以自支撑碳膜为衬底的镉膜;镉靶制备,通过靶框捞出所述以自支撑碳膜为衬底的镉膜,得到以自支撑碳膜为衬底的镉靶。本发明的制备方法,成功制备了以自支撑碳膜为衬底的镉靶,镉材料均匀沉积在碳膜上,并且可操作性和实用性强。
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