- 专利标题: 一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法
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申请号: CN202410841251.6申请日: 2024-06-27
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公开(公告)号: CN118390012A公开(公告)日: 2024-07-26
- 发明人: 卢子伟 , 刘凤琼 , 张宏斌 , 李海霞 , 李占奎 , 李荣华 , 王秀华 , 陈翠红
- 申请人: 中国科学院近代物理研究所
- 申请人地址: 甘肃省兰州市城关区南昌路509号
- 专利权人: 中国科学院近代物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院近代物理研究所
- 当前专利权人地址: 甘肃省兰州市城关区南昌路509号
- 代理机构: 北京中强智尚知识产权代理有限公司
- 代理商 刘影
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34
摘要:
本发明公开一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法,属于核靶制备技术领域。制备方法包括:在基体上制备碳膜,得到镀有碳膜的基体;在碳膜上制备镉膜,将所述镀有碳膜的基体置于真空蒸发设备中,真空条件下蒸镀镉,蒸镀镉过程中对基体施加双极脉冲偏压,得到碳膜上镀有镉膜的基体;基体脱膜,对所述碳膜上镀有镉膜的基体脱膜,得到以自支撑碳膜为衬底的镉膜;镉靶制备,通过靶框捞出所述以自支撑碳膜为衬底的镉膜,得到以自支撑碳膜为衬底的镉靶。本发明的制备方法,成功制备了以自支撑碳膜为衬底的镉靶,镉材料均匀沉积在碳膜上,并且可操作性和实用性强。
公开/授权文献
- CN118390012B 一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法 公开/授权日:2024-08-30
IPC分类: