一种微通道板探测器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117080044A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310986679.5

    申请日:2023-08-07

    摘要: 本发明涉及一种微通道板探测器,包括:微通道板板组和接收电极;所述微通道板板组,用于接收入射的粒子,并放大为电子团;所述微通道板板组和所述接收电极之间,具有可调的电场,用于再次调节所述电子团的电子增益,并将放大后的电子团入射到所述接收阳极;所述接收电极,为半导体微条阳极构成的二维位置灵敏阳极,用于基于其中的金属微条实现输出的能量分辨率的提高。本方案,具有相对可调的更高的电子增益,并且实现阳极输出的能量分辨率的提高,可以拓宽探测器的应用场景。

    一种无靶框自支撑碳剥离膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114592169B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202210183675.9

    申请日:2022-02-24

    摘要: 本发明公开了一种制备无靶框自支撑碳剥离膜的方法。该方法包括下述步骤:1)取玻璃片并旋涂甜菜碱溶液;2)置于碳弧法制备碳剥离膜设备的真空室中,抽真空至真空度小于1.5*10‑3Pa;3)碳弧电流调至100A‑160A进行碳弧放电,镀碳剥离膜至目标厚度;4)将镀完碳剥离膜的玻璃片置于水中,将碳剥离膜从玻璃片上脱离直至整个碳剥离膜漂浮于水面上;5)用中空的金属靶框从水面中将碳剥离膜捞出,静置,直至水完全蒸发完;6)将有靶框的碳膜置于等离子体设备真空室中,抽真空;7)利用碳等离子体对碳剥离膜进行应力改变;8)从真空室中取出,将碳剥离膜从中空的金属靶框中取下来,即得到无靶框的自支撑碳剥离膜。

    用于MAPS内部的列循环ADC单元及转换方法

    公开(公告)号:CN110460336A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910742868.1

    申请日:2019-08-13

    IPC分类号: H03M1/12

    摘要: 本发明一种集成于MAPS芯片的列循环ADC单元及转换方法,该ADC单元包括:子级ADC,用于对输入模拟信号Vi进行粗量化输出数码aibi;子级DAC,用于将数码aibi转换成模拟量Vdac;余量放大单元,用于将输入模拟量Vi和Vdac相减并放大生成余量信号;采样保持单元,用于将余量信号保持并循环输入本级Vi端口;数字校正单元,用于将n个周期子级ADC产生的n组数字码aibi,i=1,2,3…,n进行运算,得到(n+1)bit数字码,并在最后一个周期输出。

    用于MAPS内部的列循环ADC单元及转换方法

    公开(公告)号:CN110460336B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN201910742868.1

    申请日:2019-08-13

    IPC分类号: H03M1/12

    摘要: 本发明一种集成于MAPS芯片的列循环ADC单元及转换方法,该ADC单元包括:子级ADC,用于对输入模拟信号Vi进行粗量化输出数码aibi;子级DAC,用于将数码aibi转换成模拟量Vdac;余量放大单元,用于将输入模拟量Vi和Vdac相减并放大生成余量信号;采样保持单元,用于将余量信号保持并循环输入本级Vi端口;数字校正单元,用于将n个周期子级ADC产生的n组数字码aibi,i=1,2,3…,n进行运算,得到(n+1)bit数字码,并在最后一个周期输出。

    一种单片有源像素探测器及其方法

    公开(公告)号:CN110460787B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201910716783.6

    申请日:2019-08-05

    IPC分类号: H04N5/374 H04N5/378

    摘要: 本发明涉及一种单片有源像素探测器及其方法,其包括像素电路,列读出电路位于两列像素电路之间;列读出电路输出的数字化能量幅值信息和击中信号传输至列ADC中,列读出电路输出的粒子集中位置信息和击中信号传输至顶层读出电路;像素配置及读出控制电路输出的行列选择信号和Strobe信号传输至像素电路内,将生成的芯片数据标志位,Readout Start信号传输至顶层读出电路;列ADC及其偏置电路用于探测粒子能量幅值;顶层读出电路接收列读出电路输出的粒子击中位置信息、列ADC输出的能量幅值信息以及同一数据帧对应的数据标志位,完成数据帧打包,并通过串行数据链路输出至MAPS外部,实现同时探测粒子击中位置和能量幅值。本发明具有高分辨率、高电荷收集效率、高填充因子、高灵敏度、低功耗等优势。

    一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法

    公开(公告)号:CN118390012B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410841251.6

    申请日:2024-06-27

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明公开一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法,属于核靶制备技术领域。制备方法包括:在基体上制备碳膜,得到镀有碳膜的基体;在碳膜上制备镉膜,将所述镀有碳膜的基体置于真空蒸发设备中,真空条件下蒸镀镉,蒸镀镉过程中对基体施加双极脉冲偏压,得到碳膜上镀有镉膜的基体;基体脱膜,对所述碳膜上镀有镉膜的基体脱膜,得到以自支撑碳膜为衬底的镉膜;镉靶制备,通过靶框捞出所述以自支撑碳膜为衬底的镉膜,得到以自支撑碳膜为衬底的镉靶。本发明的制备方法,成功制备了以自支撑碳膜为衬底的镉靶,镉材料均匀沉积在碳膜上,并且可操作性和实用性强。

    一种大面积13C同位素靶的制备方法

    公开(公告)号:CN115287616A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210926032.9

    申请日:2022-08-03

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明公开了一种大面积13C同位素靶的制备方法。采用热压法将13C同位素粉末热压到背靶材上,得到用于磁控溅射的13C同位素块状靶材;将热压成型的13C同位素块状靶材装入磁控溅射设备中,抽真空,采用射频磁控溅射法对待镀膜样品进行镀膜,得到所需大面积13C同位素靶。采用该方法成功制备出了满足核物理实验需求的大面积13C同位素靶,制备出的13C同位素靶的有效面积可以达到直径40mm,并且由于本方法采用的是磁控溅射法,磁控溅射法产生的辉光直径约为40mm,而重离子溅射法的重离子束斑直径仅为2mm左右,因此采用本方法制备的13C同位素靶的均匀性和制备效率也得到了明显提升。

    五种细胞因子组合作为电离辐射损伤生物标志物

    公开(公告)号:CN110672860A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201911065538.X

    申请日:2019-11-04

    IPC分类号: G01N33/68

    摘要: 本发明公开了五种细胞因子作为电离辐射损伤生物标志物。本发明提供了IL-5、IL-6、IL-10、IL-15和IL-33五种细胞因子组合作为生物标志物在监测辐射泄漏引起动物个体危害或人群危害中的应用。本发明方法以辐照受害者血清样本作为检测对象,可在辐照后任意时间采血进行检测评估,实现及时评估;本发明基于MSD设备的优点,可实现低样本量需求,高通量、高灵敏度的检测;本发明检测所需样本量小,一次检测5种经严格分析筛选的辐射损伤生物标志物,可实现低成本、快速、高效的检测功能,服务辐射危害的及时评估。

    一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法

    公开(公告)号:CN118390012A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410841251.6

    申请日:2024-06-27

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明公开一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法,属于核靶制备技术领域。制备方法包括:在基体上制备碳膜,得到镀有碳膜的基体;在碳膜上制备镉膜,将所述镀有碳膜的基体置于真空蒸发设备中,真空条件下蒸镀镉,蒸镀镉过程中对基体施加双极脉冲偏压,得到碳膜上镀有镉膜的基体;基体脱膜,对所述碳膜上镀有镉膜的基体脱膜,得到以自支撑碳膜为衬底的镉膜;镉靶制备,通过靶框捞出所述以自支撑碳膜为衬底的镉膜,得到以自支撑碳膜为衬底的镉靶。本发明的制备方法,成功制备了以自支撑碳膜为衬底的镉靶,镉材料均匀沉积在碳膜上,并且可操作性和实用性强。