-
公开(公告)号：CN114592169B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210183675.9
申请日：2022-02-24
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种制备无靶框自支撑碳剥离膜的方法。该方法包括下述步骤：1)取玻璃片并旋涂甜菜碱溶液；2)置于碳弧法制备碳剥离膜设备的真空室中,抽真空至真空度小于1.5*10‑3Pa；3)碳弧电流调至100A‑160A进行碳弧放电，镀碳剥离膜至目标厚度；4)将镀完碳剥离膜的玻璃片置于水中，将碳剥离膜从玻璃片上脱离直至整个碳剥离膜漂浮于水面上；5)用中空的金属靶框从水面中将碳剥离膜捞出，静置，直至水完全蒸发完；6)将有靶框的碳膜置于等离子体设备真空室中，抽真空；7)利用碳等离子体对碳剥离膜进行应力改变；8)从真空室中取出，将碳剥离膜从中空的金属靶框中取下来，即得到无靶框的自支撑碳剥离膜。
-
公开(公告)号：CN110460336A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910742868.1
申请日：2019-08-13
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： H03M1/12
摘要： 本发明一种集成于MAPS芯片的列循环ADC单元及转换方法，该ADC单元包括：子级ADC，用于对输入模拟信号Vi进行粗量化输出数码aibi；子级DAC，用于将数码aibi转换成模拟量Vdac；余量放大单元，用于将输入模拟量Vi和Vdac相减并放大生成余量信号；采样保持单元，用于将余量信号保持并循环输入本级Vi端口；数字校正单元，用于将n个周期子级ADC产生的n组数字码aibi，i＝1,2,3…,n进行运算，得到(n+1)bit数字码，并在最后一个周期输出。
-
公开(公告)号：CN110460336B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910742868.1
申请日：2019-08-13
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： H03M1/12
摘要： 本发明一种集成于MAPS芯片的列循环ADC单元及转换方法，该ADC单元包括：子级ADC，用于对输入模拟信号Vi进行粗量化输出数码aibi；子级DAC，用于将数码aibi转换成模拟量Vdac；余量放大单元，用于将输入模拟量Vi和Vdac相减并放大生成余量信号；采样保持单元，用于将余量信号保持并循环输入本级Vi端口；数字校正单元，用于将n个周期子级ADC产生的n组数字码aibi，i＝1,2,3…,n进行运算，得到(n+1)bit数字码，并在最后一个周期输出。
-
公开(公告)号：CN110460787B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910716783.6
申请日：2019-08-05
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明涉及一种单片有源像素探测器及其方法，其包括像素电路，列读出电路位于两列像素电路之间；列读出电路输出的数字化能量幅值信息和击中信号传输至列ADC中，列读出电路输出的粒子集中位置信息和击中信号传输至顶层读出电路；像素配置及读出控制电路输出的行列选择信号和Strobe信号传输至像素电路内，将生成的芯片数据标志位，Readout Start信号传输至顶层读出电路；列ADC及其偏置电路用于探测粒子能量幅值；顶层读出电路接收列读出电路输出的粒子击中位置信息、列ADC输出的能量幅值信息以及同一数据帧对应的数据标志位，完成数据帧打包，并通过串行数据链路输出至MAPS外部，实现同时探测粒子击中位置和能量幅值。本发明具有高分辨率、高电荷收集效率、高填充因子、高灵敏度、低功耗等优势。
-
公开(公告)号：CN118390012B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410841251.6
申请日：2024-06-27
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法，属于核靶制备技术领域。制备方法包括：在基体上制备碳膜，得到镀有碳膜的基体；在碳膜上制备镉膜，将所述镀有碳膜的基体置于真空蒸发设备中，真空条件下蒸镀镉，蒸镀镉过程中对基体施加双极脉冲偏压，得到碳膜上镀有镉膜的基体；基体脱膜，对所述碳膜上镀有镉膜的基体脱膜，得到以自支撑碳膜为衬底的镉膜；镉靶制备，通过靶框捞出所述以自支撑碳膜为衬底的镉膜，得到以自支撑碳膜为衬底的镉靶。本发明的制备方法，成功制备了以自支撑碳膜为衬底的镉靶，镉材料均匀沉积在碳膜上，并且可操作性和实用性强。
-
公开(公告)号：CN115287616A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210926032.9
申请日：2022-08-03
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种大面积13C同位素靶的制备方法。采用热压法将13C同位素粉末热压到背靶材上，得到用于磁控溅射的13C同位素块状靶材；将热压成型的13C同位素块状靶材装入磁控溅射设备中，抽真空，采用射频磁控溅射法对待镀膜样品进行镀膜，得到所需大面积13C同位素靶。采用该方法成功制备出了满足核物理实验需求的大面积13C同位素靶，制备出的13C同位素靶的有效面积可以达到直径40mm，并且由于本方法采用的是磁控溅射法，磁控溅射法产生的辉光直径约为40mm，而重离子溅射法的重离子束斑直径仅为2mm左右，因此采用本方法制备的13C同位素靶的均匀性和制备效率也得到了明显提升。
-
公开(公告)号：CN118390012A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410841251.6
申请日：2024-06-27
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开一种以自支撑碳膜为衬底的镉靶及其制备方法，属于核靶制备技术领域。制备方法包括：在基体上制备碳膜，得到镀有碳膜的基体；在碳膜上制备镉膜，将所述镀有碳膜的基体置于真空蒸发设备中，真空条件下蒸镀镉，蒸镀镉过程中对基体施加双极脉冲偏压，得到碳膜上镀有镉膜的基体；基体脱膜，对所述碳膜上镀有镉膜的基体脱膜，得到以自支撑碳膜为衬底的镉膜；镉靶制备，通过靶框捞出所述以自支撑碳膜为衬底的镉膜，得到以自支撑碳膜为衬底的镉靶。本发明的制备方法，成功制备了以自支撑碳膜为衬底的镉靶，镉材料均匀沉积在碳膜上，并且可操作性和实用性强。
-
公开(公告)号：CN117360961A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311537140.8
申请日：2023-11-17
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： B65D77/04 , B65D77/26 , B65D25/04 , B65D81/05 , B65D25/54 , B65D25/14 , B65D43/02 , B65D81/107 , B65D81/24 , B65D6/34
摘要： 本发明涉及一种医用治癌加速器碳剥离膜存储和携带盒，包括外密封盒、内减震盒和减震层，内减震盒设置在外密封盒的内部，其顶部盖设连接有顶板，内部设置有隔板，并通过隔板分隔出至少两个放置腔；放置腔的底部设置有缓冲层；减震层设置在外密封盒与内减震盒之间；其能避免碳剥离膜在存储和携带中破裂；对碳剥离膜起到固定和防止静电、防止损坏的作用，提高碳剥离膜环节的工作效率；能应对突发状况引起的碳剥离膜更换应急情况；其可行性和实用性强，经济效益高；其使得每个碳剥离膜存放在一个放置腔内，避免碳剥离膜之间相互干扰，保证多个碳剥离膜的存放安全可靠性。
-
公开(公告)号：CN115287616B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210926032.9
申请日：2022-08-03
申请人： 中国科学院近代物理研究所
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种大面积13C同位素靶的制备方法。采用热压法将13C同位素粉末热压到背靶材上，得到用于磁控溅射的13C同位素块状靶材；将热压成型的13C同位素块状靶材装入磁控溅射设备中，抽真空，采用射频磁控溅射法对待镀膜样品进行镀膜，得到所需大面积13C同位素靶。采用该方法成功制备出了满足核物理实验需求的大面积13C同位素靶，制备出的13C同位素靶的有效面积可以达到直径40mm，并且由于本方法采用的是磁控溅射法，磁控溅射法产生的辉光直径约为40mm，而重离子溅射法的重离子束斑直径仅为2mm左右，因此采用本方法制备的13C同位素靶的均匀性和制备效率也得到了明显提升。
-
公开(公告)号：CN114592169A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210183675.9
申请日：2022-02-24
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种制备无靶框自支撑碳剥离膜的方法。该方法包括下述步骤：1)取玻璃片并旋涂甜菜碱溶液；2)置于碳弧法制备碳剥离膜设备的真空室中,抽真空至真空度小于1.5*10‑3Pa；3)碳弧电流调至100A‑160A进行碳弧放电，镀碳剥离膜至目标厚度；4)将镀完碳剥离膜的玻璃片置于水中，将碳剥离膜从玻璃片上脱离直至整个碳剥离膜漂浮于水面上；5)用中空的金属靶框从水面中将碳剥离膜捞出，静置，直至水完全蒸发完；6)将有靶框的碳膜置于等离子体设备真空室中，抽真空；7)利用碳等离子体对碳剥离膜进行应力改变；8)从真空室中取出，将碳剥离膜从中空的金属靶框中取下来，即得到无靶框的自支撑碳剥离膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.035 秒)
