发明公开
- 专利标题： 一种气体供应装置、化学气相沉积设备和方法
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申请号： CN202410520294.4申请日： 2024-04-28
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公开(公告)号： CN118422167A公开(公告)日： 2024-08-02
- 发明人: 薛春来 , 谢长江 , 徐驰 , 丛慧 , 王钇心
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 孙诗惠
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; C23C16/52 ; C30B25/14 ; C30B25/16 ; C30B25/18 ; C30B29/08 ; C30B29/52
摘要：
本发明提供了一种气体供应装置、化学气相沉积设备和方法，属于IVA族半导体材料技术领域。所述气体供应装置能够提供高压蒸汽源、低压蒸汽源、液体蒸汽源和载气，可以同时向化学气相沉积设备的生长腔室供应多种反应气体，适合外延生长多种IVA族半导体材料。
IPC分类:
