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公开(公告)号：CN118422167A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410520294.4
申请日：2024-04-28
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种气体供应装置、化学气相沉积设备和方法，属于IVA族半导体材料技术领域。所述气体供应装置能够提供高压蒸汽源、低压蒸汽源、液体蒸汽源和载气，可以同时向化学气相沉积设备的生长腔室供应多种反应气体，适合外延生长多种IVA族半导体材料。
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公开(公告)号：CN117878189A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410022270.6
申请日：2024-01-05
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C16/04
摘要： 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括提供第一基底，然后在于第一基底上形成掩膜层，该掩膜层包括多个显露出第一基底的凹槽，最后再于第一表面同步沉积锗原子和锡原子，获得锗锡合金。通过将位于掩膜层内的凹槽设置为的深宽比不低于2:1，使得锗锡合金在外延生长的过程中，能够利用具有高深宽比的凹槽的侧壁限制穿透位错的生长，将穿透位错限制在凹槽内部，以降低锗锡合金内部穿透位错和缺陷的密度，提高锗锡合金的外延质量。
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公开(公告)号：CN114122182A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111317545.1
申请日：2021-11-08
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要： 本公开提供了一种红外焦平面阵列及其制备方法，其中，红外焦平面阵列包括：图形衬底；IV族材料外延层，生长于上述图形衬底上；钝化层，覆盖于上述IV族材料外延层上，且设有第一电极孔和第二电极孔；第一电极，设置于上述第一电极孔内，与上述图形衬底相连接；第二电极，设置于上述第二电极孔内，与上述IV族材料外延层相连接；抗氧化层，覆盖于上述钝化层上，且设有通孔；互联金属层，设置于上述通孔内。本公开提供的红外焦平面阵列中的带有图形的图形衬底能够增加进入IV族材料外延层中的光，并且能够改善外延材料的应力，提高外延材料质量，同时，采用IV族材料还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性，以及降低制作成本。
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公开(公告)号：CN118676029A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410707674.9
申请日：2024-06-03
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本申请实施例提出了分区控温的样品台系统、半导体工艺设备及样品处理方法，样品检测系统设置在真空腔室内，其包括样品台，样品台包括多个独立控温的单元格且多个单元格接触连接；样品台具有用于处理样品的控温平面；温控组件，其包括加热组件和冷却组件；加热组件包括多个独立控制且与单元格一一对应的加热丝，加热丝设置在单元格内；冷却组件用于冷却单元格；以及温度检测组件，其包括用于测量单元格和样品温度的检测器以及用于显示检测器测量值的显示器。本申请的样品台可以分区控温，从而控制与样品台接触的样品上某一区域的温度，有利于实现同一样品上不同区域的不同温度条件下的表征测量，以及实现样品上不同区域温度差别的选区外延。
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公开(公告)号：CN118512980A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410580320.2
申请日：2024-05-11
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了冷凝乙锗烷的制备装置和制备方法以及高阶锗烷的制备装置、制备系统和制备方法，属于半导体技术领域。所述冷凝乙锗烷的制备装置和制备方法可以制备出高纯度的冷凝乙锗烷，冷凝乙锗烷可以作为后续制备高阶锗烷的原料。所述高阶锗烷的制备装置、制备系统和制备方法可以制备出高纯度的高阶锗烷，所述高阶锗烷的制备方法具有低成本、高效率的特点。
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公开(公告)号：CN118448459A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410450309.4
申请日：2024-04-15
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种GeSn场效应晶体管及其制备方法和半导体器件，属于半导体器件技术领域。本发明的GeSn场效应晶体管以GeSn为沟道材料，通过对沟道材料应变类型和大小的调节，从而改变GeSn沟道材料的能带结构，可有效提高沟道内特定载流子的迁移率，从而提高晶体管驱动电流，降低功耗，提高场效应晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN114122182B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111317545.1
申请日：2021-11-08
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要： 本公开提供了一种红外焦平面阵列及其制备方法，其中，红外焦平面阵列包括：图形衬底；IV族材料外延层，生长于上述图形衬底上；钝化层，覆盖于上述IV族材料外延层上，且设有第一电极孔和第二电极孔；第一电极，设置于上述第一电极孔内，与上述图形衬底相连接；第二电极，设置于上述第二电极孔内，与上述IV族材料外延层相连接；抗氧化层，覆盖于上述钝化层上，且设有通孔；互联金属层，设置于上述通孔内。本公开提供的红外焦平面阵列中的带有图形的图形衬底能够增加进入IV族材料外延层中的光，并且能够改善外延材料的应力，提高外延材料质量，同时，采用IV族材料还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性，以及降低制作成本。
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公开(公告)号：CN113972295A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111239248.X
申请日：2021-10-25
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种光探测器，包括：衬底；二氧化硅层，覆盖于衬底上；脊型波导结构，设置于二氧化硅层上，脊型波导结构包括：第一氮化硅层，设置于二氧化硅层上；石墨烯层，设置于第一氮化硅层上；绝缘层，设置于石墨烯层上，所述绝缘层上设有至少一对电极孔；以及第二氮化硅层，设置于绝缘层上，并位于成对的电极孔之间，使得第二氮化硅层相对于绝缘层突出，以形成脊形部；以及第一电极和第二电极，分别设置于成对的电极孔中，并与所述石墨烯层电连接。
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公开(公告)号：CN113972295B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111239248.X
申请日：2021-10-25
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种光探测器，包括：衬底；二氧化硅层，覆盖于衬底上；脊型波导结构，设置于二氧化硅层上，脊型波导结构包括：第一氮化硅层，设置于二氧化硅层上；石墨烯层，设置于第一氮化硅层上；绝缘层，设置于石墨烯层上，所述绝缘层上设有至少一对电极孔；以及第二氮化硅层，设置于绝缘层上，并位于成对的电极孔之间，使得第二氮化硅层相对于绝缘层突出，以形成脊形部；以及第一电极和第二电极，分别设置于成对的电极孔中，并与所述石墨烯层电连接。
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