本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体的说是连续加料式碳化硅晶体生长装置，包括储料箱，储料箱下方设置有加料机构，加料机构一侧设置有第二保温箱，第二保温箱内设置有长晶坩埚，长晶坩埚内顶部设置有用于安装碳化硅籽晶的籽晶托台，加料机构包括第一保温箱，第一保温箱位于储料箱下方，固定安装在第一保温箱内的加料坩埚，第一阀门，第一阀门上端固定连接储料箱的下端口，本装置为双坩埚设置，使原料的升华分解与凝结晶体能够同时进行，原料在加料坩埚内提前被升华分解为多种气相成分，使进入到长晶坩埚内的多种气相成分可以直接进行凝结晶体，不仅提高了原料的补充效率，同时节约了大量时间，提高了碳化硅晶体生长效率。