一种半导体结构包括场效应晶体管(FET)，该场效应晶体管包括第一源极‑漏极区、第二源极‑漏极区、在第一源极‑漏极区和第二源极‑漏极区之间的栅极、以及在栅极下方并且在第一源极‑漏极区和第二源极‑漏极区之间的沟道区。还包括在场效应晶体管的正面上的正面布线网络，其具有多个正面布线；正面导电路径，其将所述正面布线中的一个与所述第一源极‑漏极区电互连；背面电源轨，在所述FET的背面上；以及背面接触部，将所述背面电源轨与所述第二源极‑漏极区电互连。电介质衬垫和背面电介质填充物在栅极的背面上与背面接触部相邻，并且它们在交叉栅极方向上电限制背面接触部。