公开(公告)号：CN101322239A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045213.X

申请日：2006-12-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J·阿诺德 ,  D·查尔达姆巴劳 ,  李瑛 ,  拉齐夫·马利克 ,  施里施·纳拉西姆哈 ,  S·潘达 ,  B·特希尔 ,  R·维斯

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

摘要： 一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(10)；在衬底上形成具有第一间隔件(SP)的第一栅极(G1)、具有第二间隔件(SP)的第二栅极(G2)、分别与第一栅极和第二栅极相邻的相同导电类型的各个源极(S)和漏极(D)区域、设置在第一栅极和第二栅极中间的隔离区域(STI)、以及在第一栅极、第二栅极和各个源极与漏极区域上的硅化物；在第一间隔件上形成附加间隔件(RSPS)，以产生中间结构，然后在整个中间结构上设置应力层。

公开(公告)号：CN118435354A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084926.6

申请日：2022-10-25

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  B·安德森 ,  L·克莱文格 ,  J·阿诺德

IPC分类号： H01L29/40

摘要： 一种半导体结构包括场效应晶体管(FET)，该场效应晶体管包括第一源极‑漏极区、第二源极‑漏极区、在第一源极‑漏极区和第二源极‑漏极区之间的栅极、以及在栅极下方并且在第一源极‑漏极区和第二源极‑漏极区之间的沟道区。还包括在场效应晶体管的正面上的正面布线网络，其具有多个正面布线；正面导电路径，其将所述正面布线中的一个与所述第一源极‑漏极区电互连；背面电源轨，在所述FET的背面上；以及背面接触部，将所述背面电源轨与所述第二源极‑漏极区电互连。电介质衬垫和背面电介质填充物在栅极的背面上与背面接触部相邻，并且它们在交叉栅极方向上电限制背面接触部。

公开(公告)号：CN114402428A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064744.3

申请日：2020-08-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·杜塔 ,  E·德希尔瓦 ,  D·梅茨勒 ,  J·阿诺德

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本发明的实施例涉及用于在互连结构(100)的线端部放置自对准顶部过孔(802)的制造方法和所得结构。在本发明的非限制性实施例中，在互连结构(100)的金属化层中形成线特征(102)。线特征(102)可以包括线硬掩模(104)。在线特征(102)中形成沟槽(106)以暴露线特征(102)的线末端。用主体材料(202)填充沟槽(106)，并且在线特征(102)的第一线端部上形成生长抑制物(402)。在线特征(102)的第二线路端部上形成过孔掩模(602)。过孔掩模(602)可以选择性地生长在主体材料(202)的暴露表面上。未被该过孔掩模(602)覆盖的线路特征(102)的部分被凹陷以在第二线端部限定自对准顶部过孔(802)。