发明公开
- 专利标题: 碳化硅晶体notch槽加工设备及方法
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申请号: CN202410701224.9申请日: 2024-05-31
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公开(公告)号: CN118456132A公开(公告)日: 2024-08-09
- 发明人: 杨双泽 , 林育仪 , 连旗锋 , 罗佳印
- 申请人: 通威微电子有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内
- 专利权人: 通威微电子有限公司
- 当前专利权人: 通威微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内
- 代理机构: 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司
- 代理商 曹灿
- 主分类号: B24B1/04
- IPC分类号: B24B1/04 ; B24B19/02 ; B24B47/16
摘要:
本发明提供了一种碳化硅晶体notch槽加工设备及方法,属于碳化硅生产领域,通过先采用砂轮加工装置对碳化硅晶体进行粗加工,以在碳化硅晶体上形成过渡槽,再通过超声波加工装置在过渡槽的基础上进行精加工,将过渡槽扩大形成notch槽。先砂轮加工后超声波加工的目的在于,砂轮加工相对超声波加工成本低廉,先用砂轮加工出过渡槽,可以有效减少后续超声波加工的切削量,从而减缓超声波加工装置的刀具磨损速率,降低超声波加工装置的维护成本,超声波加工对晶体产生的热损伤远小于砂轮,在砂轮加工过程中晶体受到热损伤的部位,后续会被超声波加工装置去除,如此即可兼顾加工成本和晶体质量。