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公开(公告)号：CN118620680A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410665563.6
申请日：2024-05-27
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 杨双泽
IPC分类号： C10M173/02 , C10N30/06
摘要： 本发明公开了一种用于碳化硅多线切割的水系砂浆及其制备方法和应用，该水系砂浆按照质量百分比计，其包括：6％～10％的金刚石微粉、5％～15％的悬浮剂、6％～10％的润滑剂以及65％～83％的水，其中，悬浮剂为海藻酸钠或聚天冬氨酸，润滑剂为甘油或聚醚改性硅油。通过采用水作为砂浆的溶剂，并选择选定特定的悬浮剂和润滑剂以及调控各成分的比例，以使得水系砂浆能够具有较好的悬浮分散性能的同时，其砂浆粘稠度能够适合碳化硅切割且具有较佳的稳定性。该水系砂浆使用完成后，仅仅用水冲洗即可，需要调配水系砂浆时，加工业用水即可，提升了碳化硅多线切割行业的生产效率，并且选用的悬浮剂和润滑剂生物降解性，具有较佳的环保性。
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公开(公告)号：CN118456132A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410701224.9
申请日：2024-05-31
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体notch槽加工设备及方法，属于碳化硅生产领域，通过先采用砂轮加工装置对碳化硅晶体进行粗加工，以在碳化硅晶体上形成过渡槽，再通过超声波加工装置在过渡槽的基础上进行精加工，将过渡槽扩大形成notch槽。先砂轮加工后超声波加工的目的在于，砂轮加工相对超声波加工成本低廉，先用砂轮加工出过渡槽，可以有效减少后续超声波加工的切削量，从而减缓超声波加工装置的刀具磨损速率，降低超声波加工装置的维护成本，超声波加工对晶体产生的热损伤远小于砂轮，在砂轮加工过程中晶体受到热损伤的部位，后续会被超声波加工装置去除，如此即可兼顾加工成本和晶体质量。
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公开(公告)号：CN118448253A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410529186.3
申请日：2024-04-29
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 杨双泽
IPC分类号： H01L21/306 , H05B1/02 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种腐蚀炉及其控制方法，属于晶圆加工领域，腐蚀炉包括炉体、加热装置、多个腐蚀槽及控制器，炉体的底部设置有多个定位槽，加热装置包括输入支路、输出支路及多个并联的加热支路，多个加热支路两端分别连接于输入支路和输出支路，输入支路和输出支路分别用于连接电源，每个加热支路上均串联有加热电阻、可变电阻以及电子开关，多个加热电阻一一对应地设置于多个定位槽的底部，多个腐蚀槽能一一对应地放置于多个定位槽内以被对应的加热电阻加热，控制器同时与多个可变电阻和多个电子开关电连接，用于根据外部指令控制多个可变电阻和多个电子开关的工况，以控制多个加热电阻的加热功率，从而实现不同种类和尺寸的晶圆的同时腐蚀。
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公开(公告)号：CN118321755B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410756469.1
申请日：2024-06-13
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅激光冷裂方法，属于晶圆加工领域，包括以下步骤：S100，激光照射碳化硅晶体的端面；S200，对所述碳化硅晶体进行冷却；S300，被激光照射的部位从碳化硅晶体上裂开脱离以形成碳化硅晶圆。其中，步骤S200具体包括以下步骤：S210，向碳化硅晶体通入第一冷却介质以进行冷却；S220，将所述碳化硅晶体静置预设时长；S230，向碳化硅晶体通入第二冷却介质以进行冷却。本碳化硅激光冷裂方法通过对激光照射后的碳化硅晶体进行三段式冷却，可以有效减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的质量，从而提高切割出的碳化硅晶圆的质量。
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公开(公告)号：CN118456682A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410701109.1
申请日：2024-05-31
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体加工设备，属于碳化硅生产领域，包括机台、定位装置、定向装置及切槽装置，机台上开设有避位孔，定位装置设置于机台，用于夹持或者松开放置于机台上的碳化硅晶体，定向装置用于确定碳化硅晶体上的定位槽的开设部位，定向装置包括用于向碳化硅晶体发射X光线的发射器和用于接收被碳化硅晶体衍射后的X光线的接收器，发射器和接收器分别设置于机台上，接收器相对于发射器的位置可调节，碳化硅晶体被H光线照射的部位对应避位孔，切槽装置可升降地设置于避位孔的上方，用于竖直向下移动至避位孔内以在碳化硅晶体的周壁上切割定位槽。本碳化硅晶体加工设备可以有效提高碳化硅晶体的加工效率。
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公开(公告)号：CN118448253B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410529186.3
申请日：2024-04-29
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 杨双泽
IPC分类号： H01L21/306 , H05B1/02 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种腐蚀炉及其控制方法，属于晶圆加工领域，腐蚀炉包括炉体、加热装置、多个腐蚀槽及控制器，炉体的底部设置有多个定位槽，加热装置包括输入支路、输出支路及多个并联的加热支路，多个加热支路两端分别连接于输入支路和输出支路，输入支路和输出支路分别用于连接电源，每个加热支路上均串联有加热电阻、可变电阻以及电子开关，多个加热电阻一一对应地设置于多个定位槽的底部，多个腐蚀槽能一一对应地放置于多个定位槽内以被对应的加热电阻加热，控制器同时与多个可变电阻和多个电子开关电连接，用于根据外部指令控制多个可变电阻和多个电子开关的工况，以控制多个加热电阻的加热功率，从而实现不同种类和尺寸的晶圆的同时腐蚀。
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公开(公告)号：CN118321755A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410756469.1
申请日：2024-06-13
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅激光冷裂方法，属于晶圆加工领域，包括以下步骤：S100，激光照射碳化硅晶体的端面；S200，对所述碳化硅晶体进行冷却；S300，被激光照射的部位从碳化硅晶体上裂开脱离以形成碳化硅晶圆。其中，步骤S200具体包括以下步骤：S210，向碳化硅晶体通入第一冷却介质以进行冷却；S220，将所述碳化硅晶体静置预设时长；S230，向碳化硅晶体通入第二冷却介质以进行冷却。本碳化硅激光冷裂方法通过对激光照射后的碳化硅晶体进行三段式冷却，可以有效减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的质量，从而提高切割出的碳化硅晶圆的质量。
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