本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案，该带隙基准电路包括：通过带隙基准核心电路模块产生经一阶温度补偿的带隙基准电压，通过参考电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成参考电流，通过正温度系数电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成与温度成正比的正温度系数电流，通过高阶温度补偿模块根据参考电流和正温度系数电流生成高阶温度补偿电流，最后通过带隙基准核心电路模块根据高阶温度补偿电流对带隙基准电压进行高阶温度补偿，得到经高阶温度补偿的带隙基准电压，从而提高了带隙基准电压的精度和温度稳定性。