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公开(公告)号：CN118444736A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410626733.X
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本公开涉及模拟集成电路技术领域，具体涉及一种低噪声带隙基准电路、芯片、电子设备和生成低噪声基准电压的方法，所述低噪声带隙基准电路包括带隙基准电路、斩波电路和低通滤波单元。带隙基准电路包括运算放大器，其中带隙基准电路用于输出基准电压，运算放大器用于对所述带隙基准电路中的第一节点和第二节点进行电压钳位。斩波电路连接到所述运算放大器，用于将所述运算放大器产生的噪声调制到高频。低通滤波单元连接到所述带隙基准电路，用于滤除所述基准电压中的高频噪声。此低噪声带隙基准电路极大地减小了运算放大器的输出噪声，提高了芯片的噪声性能。
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公开(公告)号：CN117544119A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311311004.7
申请日：2023-10-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明实施例提供一种级联浮动反相放大器、芯片、噪声抑制方法和装置，属于电子技术领域。级联浮动反相放大器包括：放大器电路，放大器电路包括用于稳定共模电压的第一电容和第二电容；自归零电路，自归零电路与放大器电路电连接，用于在放大器电路的第一阶段，复用第一电容和第二电容，以存储放大器电路中的失调电压和/或噪声；以及用于在放大器电路的第二阶段，对失调电压和/或噪声进行抑制。本发明实施例通过自归零电路将第一电容和第二电容复用为采样噪声的电容，从而减少使用的电容数量，实现减小面积。
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公开(公告)号：CN119109320A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411058783.9
申请日：2024-08-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种电压转换器及其模式切换电路、芯片，其中，模式切换电路包括：电压钳位单元，适于连接电压转换器的负载电路，以根据第一基准电压和负载电路输出的反馈电压生成钳位电流；可控开关单元和补偿电容，可控开关单元的输入端与电压钳位单元的输出端相连，可控开关单元的输出端与补偿电容的一端相连，以按照预设时间间隔将钳位电流提供给补偿电容，以给补偿电容进行充电；频率生成单元，与补偿电容的一端相连，以生成频率信号，并根据补偿电容的上极板电压对频率信号进行降频控制，以使电压转换器由脉冲宽度调制模式切换至脉冲频率调制模式。该电路降低等效平均电流，可以选用容值较小的补偿电容，有效减小了DC‑DC转换器的体积。
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公开(公告)号：CN118466673A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410542140.5
申请日：2024-04-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案，该带隙基准电路包括：通过带隙基准核心电路模块产生经一阶温度补偿的带隙基准电压，通过参考电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成参考电流，通过正温度系数电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成与温度成正比的正温度系数电流，通过高阶温度补偿模块根据参考电流和正温度系数电流生成高阶温度补偿电流，最后通过带隙基准核心电路模块根据高阶温度补偿电流对带隙基准电压进行高阶温度补偿，得到经高阶温度补偿的带隙基准电压，从而提高了带隙基准电压的精度和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN118857489A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410821259.6
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明公开了一种温度传感器电路、芯片及用电设备，所述电路包括：正温度系数电路，正温度系数电路用基于两个三极管的基极‑发射极电压的差生成正温度系数电流；负温度系数电路，负温度系数电路复用两个三极管中的一个，以基于复用的三极管的基极‑发射极电压生成负温度系数电流；信号输出电路，信号输出电路的第一输入端与正温度系数电路相连，信号输出电路的第二输入端与负温度系数电路相连，信号输出电路用基于正温度系数电流和负温度系数电流，利用电容充放电方式生成逻辑电平信号，以基于逻辑电平信号获得当前温度。该电路中的负温度系数电路对正温度系数中的三极管进行复用，实现了电路简化，减少了电路占用面积，同时降低了运行功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115469703B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211326689.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本公开实施例公开了线性稳压电路、工作方法及电子设备。所述线性稳压电路包括：功率器件、误差放大器、反馈电阻网络、第一开关、第二开关、第三开关、第一电容和第二电容；所述误差放大器的第一输入端连接基准电压，误差放大器的第二输入端依次通过所述第一开关、第二开关与所述功率器件的栅极连接，误差放大器的输出端通过所述第二开关与所述功率器件的栅极连接；所述反馈电阻网络用于输出反馈电压至所述误差放大器的第二输入端；所述功率器件的源极与所述第三开关连接。上述技术方案通过在线性稳压电路上增设三个开关，利用三个开关的通断来调整线性稳压电路的输出电流，提高了线性稳压电路的响应速度。
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公开(公告)号：CN112886544B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110054285.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于过负荷控制的功率选通电路及集成电路芯片。所述功率选通电路包括设置于供电源与负载之间的通道开关，还包括转换模块、过负荷比较模块以及功率选通控制模块；所述转换模块用于将所述供电源的电压转换为可以量化的通道电阻；所述过负荷比较模块用于基于所述通道电阻计算功率门限，在输出功率达到所述功率门限时触发所述通道开关；所述功率选通控制模块用于对触发所述通道开关的过程进行逻辑控制。本发明通过转换模块和过负荷比较模块实现负荷功率门槛值计算，使得可以直接按照功率限值来配置触发通道开关的过负荷门限，从而实现芯片过负荷保护和功率保护，提高了过负荷保护的安全性。
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公开(公告)号：CN115603564A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327229.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN) , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司(CN)
Abstract: 本公开实施例提供了一种隔离电路、供电电路、工作方法和电子装置，所述隔离电路包括电压变换模块和第二电源域；以及隔离模块，所述隔离模块耦接于所述电压变换模块和所述第二电源域之间。上述技术方案通过在电压变换模块和第二电源域之间耦接隔离模块，使得电压变换模块在进行电压变换时产生的高频共模电流被隔离模块隔离，即无法传输至第二电源域，进而无法产生辐射泄露，同时也避免干扰第二电源域，提高了集成电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN112904931B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110055767.4
申请日：2021-01-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种电压电流转换电路及集成电路芯片。所述电压电流转换电路包括第一串联电阻、第二串联电阻、第一电流镜、第一负反馈环路以及第二负反馈环路，所述第一负反馈环路包括第一跨导放大器和第二电流镜，所述第二负反馈环路包括第二跨导放大器、第三电流镜以及第一二极管。本发明的电压电流转换电路，采用两条负反馈环路，使其有效输入电压可以高于电源电平，也可以低于地电平，即输入电压范围可以向正电源轨和负电源轨两个方向扩展，输入电压范围宽，动态范围大，且所述电压电流转换电路转换获得的电流也是双向的，可以有更广泛的电路应用，适应更多的系统条件。
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公开(公告)号：CN112886544A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110054285.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于过负荷控制的功率选通电路及集成电路芯片。所述功率选通电路包括设置于供电源与负载之间的通道开关，还包括转换模块、过负荷比较模块以及功率选通控制模块；所述转换模块用于将所述供电源的电压转换为可以量化的通道电阻；所述过负荷比较模块用于基于所述通道电阻计算功率门限，在输出功率达到所述功率门限时触发所述通道开关；所述功率选通控制模块用于对触发所述通道开关的过程进行逻辑控制。本发明通过转换模块和过负荷比较模块实现负荷功率门槛值计算，使得可以直接按照功率限值来配置触发通道开关的过负荷门限，从而实现芯片过负荷保护和功率保护，提高了过负荷保护的安全性。
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