公开(公告)号：CN118444736A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410626733.X

申请日：2024-05-20

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 李纪平 ,  苗清 ,  苏昊泽 ,  汪涛 ,  李梦姣 ,  饶光煊 ,  孙铭 ,  余雯昕

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本公开涉及模拟集成电路技术领域，具体涉及一种低噪声带隙基准电路、芯片、电子设备和生成低噪声基准电压的方法，所述低噪声带隙基准电路包括带隙基准电路、斩波电路和低通滤波单元。带隙基准电路包括运算放大器，其中带隙基准电路用于输出基准电压，运算放大器用于对所述带隙基准电路中的第一节点和第二节点进行电压钳位。斩波电路连接到所述运算放大器，用于将所述运算放大器产生的噪声调制到高频。低通滤波单元连接到所述带隙基准电路，用于滤除所述基准电压中的高频噪声。此低噪声带隙基准电路极大地减小了运算放大器的输出噪声，提高了芯片的噪声性能。

公开(公告)号：CN116779605A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310777035.5

申请日：2023-06-28

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 周世聪 ,  朱信宇 ,  原义栋 ,  赵天挺 ,  沈红伟 ,  董树荣 ,  苗清 ,  张萌

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8222

摘要： 本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该器件包括：衬底；第一阱区；第二阱区、第一注入区和第三阱区，沿衬底长度方向形成在第一阱区内；第二注入区和第三注入区，分别形成于第二阱区和第三阱区内；第四注入区和第五注入区，分别形成于第二注入区和第三注入区内；第一多晶硅层和第二多晶硅层，分别形成于第一注入区两侧的衬底表面；第一隔离槽和第二隔离槽，分别形成于第一注入区两侧；第四注入区和第一多晶硅层通过金属连线接入电学阳极，第五注入区和第二多晶硅层通过金属连线接入电学阴极。通过本发明提供的器件，能够提供更高的ESD保护能力，电流走向更为均匀，提高器件响应速度。

公开(公告)号：CN118466673A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410542140.5

申请日：2024-04-30

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 李纪平 ,  苗清 ,  苏昊泽 ,  汪涛 ,  李梦姣 ,  饶光煊 ,  孙铭 ,  余雯昕

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案，该带隙基准电路包括：通过带隙基准核心电路模块产生经一阶温度补偿的带隙基准电压，通过参考电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成参考电流，通过正温度系数电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成与温度成正比的正温度系数电流，通过高阶温度补偿模块根据参考电流和正温度系数电流生成高阶温度补偿电流，最后通过带隙基准核心电路模块根据高阶温度补偿电流对带隙基准电压进行高阶温度补偿，得到经高阶温度补偿的带隙基准电压，从而提高了带隙基准电压的精度和温度稳定性。

公开(公告)号：CN118857489A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410821259.6

申请日：2024-06-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 李纪平 ,  苗清 ,  李梦姣 ,  赵天挺

IPC分类号： G01K7/01

摘要： 本发明公开了一种温度传感器电路、芯片及用电设备，所述电路包括：正温度系数电路，正温度系数电路用基于两个三极管的基极‑发射极电压的差生成正温度系数电流；负温度系数电路，负温度系数电路复用两个三极管中的一个，以基于复用的三极管的基极‑发射极电压生成负温度系数电流；信号输出电路，信号输出电路的第一输入端与正温度系数电路相连，信号输出电路的第二输入端与负温度系数电路相连，信号输出电路用基于正温度系数电流和负温度系数电流，利用电容充放电方式生成逻辑电平信号，以基于逻辑电平信号获得当前温度。该电路中的负温度系数电路对正温度系数中的三极管进行复用，实现了电路简化，减少了电路占用面积，同时降低了运行功耗。

公开(公告)号：CN118760334A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410975145.7

申请日：2024-07-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 来龙坤 ,  卓越 ,  原义栋 ,  赵天挺 ,  吴顺珉 ,  张萌 ,  苗清

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明提供一种带隙基准电压源电路和芯片，属于电路技术领域。电路包括：正温度系数电压产生电路，用于产生正温度系数电压；一阶带隙基准电压产生电路，与所述正温度系数电压产生电路电连接，用于产生负温度系数电压，以及基于所述正温度系数电压和负温度系数电压之和输出带隙基准电压；非线性项削减电路，用于产生偏置电流输入至所述一阶带隙基准电压产生电路，以削减所述负温度系数电压中非线性项的系数。本发明通过增加一个非线性项削减电路来产生偏置电流输入至一阶带隙基准电压产生电路，以削减所述负温度系数电压中非线性项的系数，实现对带隙基准电压源电路进行非线性项补偿，本发明实施例结构简单，电路实现成本较低。