发明公开
- 专利标题: 一种考虑磁导率和厚度的铁磁边界内双平面线圈设计方法
-
申请号: CN202410767127.X申请日: 2024-06-14
-
公开(公告)号: CN118468727A公开(公告)日: 2024-08-09
- 发明人: 徐学平 , 刘怡 , 韩春波 , 孙津济 , 韩邦成
- 申请人: 北京航空航天大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路37号
- 专利权人: 北京航空航天大学
- 当前专利权人: 北京航空航天大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路37号
- 代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- 代理商 孔伟; 顾炜
- 主分类号: G06F30/27
- IPC分类号: G06F30/27 ; G06F30/17 ; G06F17/11 ; G06F17/16 ; G06N3/006
摘要:
本发明公开一种考虑磁导率和厚度的铁磁边界内双平面线圈设计方法,包括:S1.确定双平面线圈的尺寸,立方体磁屏蔽室的尺寸、磁导率和厚度。S2.选定目标区域,在目标区域设置NUM个目标点,并根据线圈类型对每个目标场点设置相应的均匀磁场或梯度磁场;S3.计算镜像线圈和原线圈的电流密度,计算多重反射线圈的电流密度,推导各目标点磁场表达式,与电流密度函数之间构建矩阵方程;S4.计算线圈流函数中的待定系数#imgabs0#;S5.通过流函数计算得到平面电流分布,利用等高线方式进行离散,从而得到具体的线圈结构,进行磁场均匀度计算并通过线性递减权重粒子群优化算法寻找最优的正则系数,得到性能满足要求的线圈构型。