发明公开
- 专利标题: OVL套刻标识图形及提高套刻误差量测准确性的方法
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申请号: CN202410669784.0申请日: 2024-05-27
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公开(公告)号: CN118502203A公开(公告)日: 2024-08-16
- 发明人: 张瑜 , 卞玉洋 , 刘必秋 , 张聪
- 申请人: 上海华力集成电路制造有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
- 专利权人: 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人: 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
- 代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 刘昌荣
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; H01L21/033 ; G03F9/00
摘要:
本发明提供一种OVL套刻标识图形,包括:间隔设置的目标OVL图形与参考OVL图形,目标OVL图形包括前层光栅结构及当层光栅结构,其包括紧邻设置的第一光栅图形与第二光栅图形,且第一光栅图形包括多个间隔排列的第一条形光栅,第二光栅图形包括多个间隔排列的述第二条形光栅,当层光栅结构包括紧邻设置的第三光栅图形与第四光栅图形,且第三光栅图形包括多个间隔排列的第三条形光栅,第四光栅图形包括多个的间隔排列的第四条形光栅;参考OVL图形包括前层光栅结构。通过本发明解决了现有的外围Fin形貌差异造成的前层光栅结构对称性不好的问题。
IPC分类: