本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决了目前堆叠晶体管中漏极互连结构占用版图面积并会产生较大电阻的技术问题。该半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、绝缘层、漏极导电结构；其中，第一晶体管和第二晶体管位于绝缘层的两侧，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向垂直于绝缘层；漏极导电结构贯穿绝缘层，并连接第一晶体管的漏极外延结构和第二晶体管的漏极外延结构。本申请提供的半导体器件具有漏极导电结构，漏极导电结构不会占用半导体器件的版图面积，并且缩短了漏极互连路径，减小了漏极互联电阻。