发明公开
CN118522653A 制造半导体器件的方法
审中-公开
- 专利标题： 制造半导体器件的方法
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申请号： CN202311622220.3申请日： 2023-11-30
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公开(公告)号： CN118522653A公开(公告)日： 2024-08-20
- 发明人: 林真男 , 李昊仁 , 李东均 , 梁相喆 , 李炳铉
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 程丹辰
- 优先权： 10-2023-0021565 20230217 KR
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/027 ; H01L21/68 ; G03F7/20
摘要：
一种制造半导体器件的方法可以包括：通过执行第一曝光工艺在第一晶片上形成目标图案；测量目标图案的未对准值；基于未对准值计算块未对准值和图案未对准值；基于块未对准值计算块校正值，基于图案未对准值计算图案校正值；以及基于块校正值和图案校正值对第二晶片执行第二曝光工艺。
IPC分类:
