发明公开
- 专利标题: 半导体器件及制造半导体器件的方法
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申请号: CN202311163212.7申请日: 2023-09-11
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公开(公告)号: CN118524702A公开(公告)日: 2024-08-20
- 发明人: 严祥训 , 赵珉熙 , 李元锡 , 郑宇齐
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市立方律师事务所
- 代理商 李娜; 邓思思
- 优先权: 10-2023-0022048 20230220 KR
- 主分类号: H10B12/00
- IPC分类号: H10B12/00
摘要:
提供了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括位于衬底上的位线、位于位线上并且在垂直于位线的方向上延伸的沟道图案、与位线相交并且与沟道图案间隔开的字线、位于沟道图案与字线之间的栅极绝缘图案、位于字线上的绝缘图案,以及连接到沟道图案的着陆焊盘。栅极绝缘图案可以包括分别具有第一介电常数和第二介电常数的第一栅极绝缘图案和第二栅极绝缘图案。第二栅极绝缘图案可以位于第一栅极绝缘图案与字线之间。第一介电常数和第二介电常数可以不同。第一栅极绝缘图案的第一宽度可以不同于第二栅极绝缘图案的第二宽度。