本发明提供一种提升栅源可靠性的屏蔽栅MOSFET制造方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，在外延上形成栅极沟槽，栅极沟槽的底部形成有第一介质层以及位于第一介质层中的第一栅极多晶硅层，第一介质层和第一栅极多晶硅层上形成有隔离介质层；氧化栅极凹槽侧壁处的外延层形成第二介质层，第二介质层自下而上的底端处为厚度递增的结构；在外延层和栅极凹槽的表面形成第三介质层；在栅极凹槽的底端处形成位于第三介质层上的第四介质层；去除外侧层以及栅极凹槽侧壁处的第三介质层，使得第三介质层保留在隔离介质层上。本发明能够保证第二栅多晶硅接触的底部偏薄的栅氧(第二介质层)处填充充实，增强器件可靠性。