发明授权
- 专利标题： 一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法
-
申请号： CN202411052697.7申请日： 2024-08-02
-
公开(公告)号： CN118561605B公开(公告)日： 2024-10-15
- 发明人: 冯家伟 , 施纯锡
- 申请人： 福建华清电子材料科技有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号
- 专利权人： 福建华清电子材料科技有限公司
- 当前专利权人： 福建华清电子材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号
- 代理机构： 泉州协创知识产权代理事务所
- 代理商 吕连川
- 主分类号： C04B35/581
- IPC分类号： C04B35/581 ; C04B35/622 ; C04B35/634 ; C04B35/632 ; C08F120/06
摘要：
本发明涉及于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：S1：混合分散：将烧结浆料进行球磨分散，得到混合浆料；S2:流延成型、排片压平处理和排胶：S3:烧结:将排胶后的物料送入放电等离子烧结炉中加热升温至1550‑1650℃，保温30‑50min；S4:冷却：将烧结后的烧结体冷却至常温。本发明高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法，所得陶瓷基板具有良好的力学强度。
公开/授权文献
- CN118561605A 一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法 公开/授权日：2024-08-30
IPC分类:
