用于光刻设备的抗蚀剂下层

发明公开

CN118575132A 用于光刻设备的抗蚀剂下层审中-公开

摘要：

本文中公开了一种用于光刻设备的衬底布置，该衬底布置包括：抗蚀剂；光敏的抗蚀剂下层；以及衬底；其中抗蚀剂下层的曝光阈值低于抗蚀剂的曝光阈值。抗蚀剂和抗蚀剂下层对EUV辐射都是光敏的。

审查信息

Global Dossier

Espacenet

G	物理
G03	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F	图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G）
G03F7/00	图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L21/00，H05K）
G03F7/004	.感光材料（G03F7/12，G03F7/14优先）
G03F7/09	..以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层（印刷版的基片层一般入B41N）