发明公开
- 专利标题： 一种具备更小寄生电容的SiC器件及制备方法
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申请号： CN202410835254.9申请日： 2024-06-26
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公开(公告)号： CN118588567A公开(公告)日： 2024-09-03
- 发明人: 王正 , 杨程 , 裘俊庆 , 王毅
- 申请人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
- 专利权人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司
- 当前专利权人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
- 代理机构： 扬州市苏为知识产权代理事务所
- 代理商 郭翔
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/423
摘要：
一种具备更小寄生电容的SiC器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在沟槽栅SiC MOSFET的沟槽底部采用淀积介质的方式形成一层较厚的氧化物，减小了器件栅漏电极之间的耦合面积，从而减小了器件的栅漏电容，提高开关性能，并且淀积的氧化物将沟槽栅氧底部拐角填充，避免了常规沟槽栅SiC MOSFET在此处栅氧化层易引起电场集中而发生击穿失效的现象，提高了器件的长期使用可靠性。
IPC分类:
