本发明提供一种晶圆高K金属栅化学机械抛光方法及半导体器件，属于半导体晶圆加工技术领域。本发明能够通过将高K金属栅化学机械抛光划分为两个阶段，即初步抛光和精细抛光。在初步抛光阶段采用恒定抛光速率控制方式，快速去除大部分抛光层，确保整体抛光效率。基于初步抛光后的剩余膜厚确定精细抛光时的初始抛光压力，以尽量确保同时完成抛光，减小抛光终点时各区域的总抛光时间差异、以减少过抛和欠抛缺陷。在精细抛光阶段恒定压力抛光，并在某一区域达到抛光终点时，将该区域抛光压力调到较小以停止对该区域抛光，避免在接近抛光终点时不断调整压力、避免造成抛光速率漂移，提升了终点控制准确性，减少了过抛和欠抛缺陷。