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公开(公告)号：CN118983219A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411045484.1
申请日：2024-07-31
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/321 , H01L21/683 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B57/02
摘要： 本发明涉及一种晶圆吸附方法。晶圆吸附方法包括：控制所述抛光头和所述抛光盘停止转动，调节所述保持环的压力为第一压力，释放所述内部支撑环的压力和所述压力膜的压力至0psi；调节所述保持环的压力和所述内部支撑环的压力为第二压力，调节所述压力膜的压力为预设负压，所述抛光头开始吸附所述晶圆；释放所述保持环的压力并调节至所述预设负压，所述抛光头吸附所述晶圆抬起。本发明提供的晶圆吸附方法可以，提高晶圆被吸附的成功率，晶圆被吸附成功率高达100％，从而有效的提高设备的稳定性，进而提高工艺效率和产品良率。
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公开(公告)号：CN118905883A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411081621.7
申请日：2024-08-07
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种抛光头安装定位装置及抛光头安装方法，属于化学机械抛光技术领域，抛光头安装定位装置包括底座、调节座和定位件，底座顶部开设有安装腔，安装腔用于容纳弹性膜；调节座底部开设有适配于底座的定位腔，底座插设于定位腔内；定位件设于定位腔内，并同轴线连接于调节座，定位件具有插设于上夹持环中心孔的定位部，定位部与调节座同轴线设置，且定位件开设有容纳下夹持环的定位槽，定位槽与定位件同轴设置。本发明提供的抛光头安装定位装置及抛光头安装方法，旨在解决现有技术中弹性膜无法保证与保持环和夹持环等部件同轴安装，进而导致晶圆被弹性膜吸附固定后受力不均，造成晶圆研磨效果不佳、材料去除率低下的问题。
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公开(公告)号：CN118899243A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410931220.X
申请日：2024-07-11
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆清洗装置，属于半导体加工设备的技术领域，包括箱体、晶圆固定机构以及清洗液回收机构；晶圆固定机构设置在箱体的内部；清洗液回收机构设置在晶圆固定机构的周围，用于清洗液；清洗液回收机构包括第一回收组件和第二回收组件；第一回收组件设置在晶圆固定机构的周围；第二回收组件设置在第一回收组件的周围；第一回收组件和第二回收组件用于回收不同种类的清洗液。本发明提供的晶圆清洗装置，在使用两种种类的清洗液时，在使用第一种清洗液时，通过第一回收组件将多余的清洗液回收，在使用第二种清洗液时，通过第二回收组件将多余的清洗液回收。可以避免两种清洗液混合在一起相互污染，从而使回收的清洗液可以继续使用。
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公开(公告)号：CN118664518A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410772642.7
申请日：2024-06-14
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及抛光技术领域，公开了一种用于晶圆抛光的温度控制方法和温度控制系统。温度控制方法包括：实时获取抛光盘上设置的温度传感器采集的当前温度信息，抛光盘的一侧设置有抛光头，抛光头用于对晶圆抛光；将当前温度信息中的实时温度值与第一设定温度值进行比较；如果实时温度值大于第一设定温度值，则向降温设备发出第一控制信号，降温设备用于根据第一控制信号向晶圆喷射降温物质。本发明提供的温度控制方法实时监控晶圆抛光温度，在温度过高时对晶圆降温。
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公开(公告)号：CN118571789A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410634877.X
申请日：2024-05-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆在位及完整性检测技术领域，公开了一种晶圆状态检测方法、系统、控制装置及计算机设备，该方法包括：获取多个标准监测曲线，标准监测曲线用于表征标准在位晶圆对应的扫描区域内各个角度与第二距离的对应关系，第二距离为距离检测装置在对应角度下与标准在位晶圆的表面之间的距离；基于距离检测装置，确定多个当前监测曲线，当前监测曲线用于表征待测晶圆对应的扫描区域内各个角度与第一距离的对应关系，第一距离为距离检测装置在对应角度下与待测晶圆的表面之间的距离；将多个当前监测曲线与对应的标准监测曲线进行对比，确定待测晶圆的状态。本发明能够提升检测结果的准确性和适用范围。
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公开(公告)号：CN118493248A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410797030.3
申请日：2024-06-19
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及化学机械抛光技术领域，公开了用于化学机械抛光设备的水平检测装置及方法；水平检测装置包括第一滑轨、第一滑块及第一光学尺，第一滑轨设置于第一清洗刷驱动设备上，第一滑块滑动连接于第一滑轨上，第一滑块背离第一滑轨的一侧设置有第一光学尺，第一光学尺用于在第一测量点测量第一光学尺到晶圆表面的第一距离值，以及用于在第二测量点测量第一光学尺到晶圆表面的第二距离值；第一距离值和第二距离值的差值用于表征第一清洗刷驱动设备与晶圆的相对水平程度。本发明可灵活应用于现有的化学机械抛光设备，水平检测结果更加精准。
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公开(公告)号：CN118366880A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410537763.3
申请日：2024-04-30
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆加工技术领域，公开了一种终点检测传感器扫描轨迹、晶圆表面形貌确定方法及装置，其中终点检测传感器扫描轨迹确定方法包括：获取终点检测传感器采集得到的信号值；获取所述终点检测传感器的扫描轨迹，所述扫描轨迹是关于所述终点检测传感器与晶圆圆心的距离，所述距离是变化的；基于所述扫描轨迹和所述信号值绘制初始形貌曲线，所述初始形貌曲线的横坐标为所述终点检测传感器与所述晶圆圆心的距离，纵坐标为所述信号值；基于所述初始形貌曲线确定所述扫描轨迹的偏移大小和偏移方向，并基于确定的所述偏移大小和方向确定最终的形貌曲线。本发明能够提高晶圆表面形貌检测的精准性。
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公开(公告)号：CN118136557A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410276275.1
申请日：2024-03-11
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆清洗装置，包括机体、竖直清洗机构、水平清洗机构、干燥机构以及传动机构，所述竖直清洗机构设置在机体上；所述竖直清洗机构设置有第一清洗腔，第一清洗腔沿竖直方向设置，第一清洗腔用于对晶圆进行清洗；所述水平清洗机构设置在机体上；所述水平清洗机构设置有第二清洗腔，第二清洗腔沿水平方向设置，第二清洗腔用于对晶圆进行清洗；所述干燥机构设置在所述水平清洗机构上；所述干燥机构用于对经过水平清洗机构清洗完成的晶圆进行干燥；所述传动机构设置在机体上；所述传动机构用于将晶圆依次传输到竖直清洗机构和水平清洗机构。在本发明中，通过设置上述结构，能够对晶圆进行双重清洗，进而使晶圆的清洗效果更好。
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公开(公告)号：CN117976606A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410138444.5
申请日：2024-01-31
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法及STI结构形成方法，所述改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法包括步骤：在进行STI CMP平坦化后，并在去除氮化膜前，采用湿法刻蚀技术将沟槽氧化膜上表面去除至目标厚度，减少沟槽Trench区域氧化膜与垫氧化膜的台阶差。本发明在湿法刻蚀沟槽氧化膜时，由氮化膜侧壁进行保护，使湿法刻蚀不会对沟槽氧化膜侧壁产生等向性钻蚀，进而能改善divot区域过大，引起刻蚀后多晶残留问题，改善在干法多晶栅刻蚀的残留问题和漏电问题，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN117943966A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410151074.9
申请日：2024-02-02
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆加工技术领域。本发明提供一种电化学机械抛光方法，使用电化学机械抛光机，包括以下步骤：将待抛光晶圆设置于抛光头，待抛光晶圆的待抛光面朝向抛光台；抛光头和抛光台分别连接供电电源；在抛光台表面喷淋抛光液；将抛光头降下使待抛光晶圆的表面浸入抛光液，且与抛光台形成电性接触；通电使待抛光晶圆与抛光台形成电流可通过的通电回路，待抛光晶圆与抛光液发生电化学反应，在待抛光晶圆表面形成氧化层；使抛光头与抛光台发生相对旋转进行研磨抛光，去除氧化层；其中，抛光液仅包含化学反应液；抛光头与抛光台上的抛光液的液面之间存在距离。本发明提供的电化学机械抛光方法，可避免因研磨液中的颗粒团聚造成的研磨效率降低。
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