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公开(公告)号：CN117532496A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311823841.8
申请日：2023-12-27
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种碳化硅晶圆衬底磨抛洗一体设备，包括：主轴；支臂内端固定连接于主轴外周，支臂外端设有吸附抛光头，适于吸附碳化硅晶圆衬底，并随主轴旋转，而变换碳化硅晶圆衬底的位置；多个研磨盘围绕主轴设置，且在每个研磨盘上设有抛光垫；多个抛光垫依次对吸附抛光头上吸附的碳化硅晶圆衬底进行抛光；清洗单元清洗抛光完毕的碳化硅晶圆衬底；本申请通过吸附抛光头的吸附和旋转实现碳化硅晶圆衬底在不同作业单元间转移；将碳化硅晶圆衬底减薄、抛光和清洗在同一台设备进行；省去分选、清洗和切换机台等的操作和时间，最大程度为碳化硅晶圆衬底加工节省时间和耗材，提高产出量，提升加工效率。
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公开(公告)号：CN118664518A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410772642.7
申请日：2024-06-14
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及抛光技术领域，公开了一种用于晶圆抛光的温度控制方法和温度控制系统。温度控制方法包括：实时获取抛光盘上设置的温度传感器采集的当前温度信息，抛光盘的一侧设置有抛光头，抛光头用于对晶圆抛光；将当前温度信息中的实时温度值与第一设定温度值进行比较；如果实时温度值大于第一设定温度值，则向降温设备发出第一控制信号，降温设备用于根据第一控制信号向晶圆喷射降温物质。本发明提供的温度控制方法实时监控晶圆抛光温度，在温度过高时对晶圆降温。
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公开(公告)号：CN117976606A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410138444.5
申请日：2024-01-31
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法及STI结构形成方法，所述改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法包括步骤：在进行STI CMP平坦化后，并在去除氮化膜前，采用湿法刻蚀技术将沟槽氧化膜上表面去除至目标厚度，减少沟槽Trench区域氧化膜与垫氧化膜的台阶差。本发明在湿法刻蚀沟槽氧化膜时，由氮化膜侧壁进行保护，使湿法刻蚀不会对沟槽氧化膜侧壁产生等向性钻蚀，进而能改善divot区域过大，引起刻蚀后多晶残留问题，改善在干法多晶栅刻蚀的残留问题和漏电问题，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN118751588A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410703356.5
申请日：2024-05-31
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆清洗设备及晶圆清洗方法，包括箱体、送液管路、承接杯及负压风管，送液管路贯穿箱体的侧壁延伸至箱体内、用于分时段向箱体内供送化学液和热水，承接杯设置于箱体内，承接杯的底部连接有排液管，负压风管连接于承接杯的一侧、用于向箱体外部引流化学气体。本发明提供的晶圆清洗设备，利用送液管路向箱体内分时段送入热水和化学液，实现对送液管路的清洗，节省了化学液的消耗，保证后续用于清洗晶圆的化学液的洁净度，连接于承接杯上的负压风管延伸至箱体外部，便于将承接杯内的化学气引出箱体，避免对化学气反灌导致在晶圆表面产生团聚图案的问题，满足了晶圆清洗的环境要求，保证了晶圆的清洗质量。
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公开(公告)号：CN117772720A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311811882.5
申请日：2023-12-26
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆清洗技术领域，具体涉及一种冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构及方法，冲洗晶圆清洗腔内部管路的结构，包括：热水供给源；第三三通阀连接于热水供给源和第一阀门之间，且第三三通阀与化学清洗液输送系统靠近输送化学清洗液末端的管路连接；第一阀门设置于晶圆清洗腔内部管路靠近进口处；第三三通阀适于断开化学清洗液输送系统向晶圆清洗腔内部管路输送的化学清洗液，且将热水供给源的热水经第一阀门流通至晶圆清洗腔内部管路，并进行冲洗；本申请使用热水替代化学清洗液对晶圆清洗腔内部管路进行冲洗，既保证晶圆清洗腔内部管路的洁净度和晶圆表面颗粒的良好水平，又减少化学清洗液的消耗，降低成本。
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公开(公告)号：CN118856836A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411126296.1
申请日：2024-08-15
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆干燥技术领域，公开了一种晶圆干燥方法及晶圆干燥装置，晶圆干燥方法包括：将晶圆放置于干燥腔室内的旋转平台上；通过第一喷嘴向旋转的晶圆的表面传输混合液体，以在表面形成液膜，其中，混合液体为去离子水和醇类表面活性剂混合的液体；通过第二喷嘴向旋转的晶圆的表面传输混合气体，以置换液膜，完成对晶圆的干燥，其中，混合气体为异丙酮蒸汽和氮气混合的气体，第一喷嘴和第二喷嘴以相同的速度从晶圆的中心向晶圆的边缘移动。本发明通过去离子水和醇类表面活性剂的混合液体在晶圆表面布液，能够使晶圆表面形成的液膜更加均匀，减少异丙酮直接接触晶圆表面或未完全置换液膜的情况，提升晶圆表面的洁净度。
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公开(公告)号：CN118596012A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410944007.2
申请日：2024-07-15
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆高K金属栅化学机械抛光方法及半导体器件，属于半导体晶圆加工技术领域。本发明能够通过将高K金属栅化学机械抛光划分为两个阶段，即初步抛光和精细抛光。在初步抛光阶段采用恒定抛光速率控制方式，快速去除大部分抛光层，确保整体抛光效率。基于初步抛光后的剩余膜厚确定精细抛光时的初始抛光压力，以尽量确保同时完成抛光，减小抛光终点时各区域的总抛光时间差异、以减少过抛和欠抛缺陷。在精细抛光阶段恒定压力抛光，并在某一区域达到抛光终点时，将该区域抛光压力调到较小以停止对该区域抛光，避免在接近抛光终点时不断调整压力、避免造成抛光速率漂移，提升了终点控制准确性，减少了过抛和欠抛缺陷。
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公开(公告)号：CN118106895A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410431089.0
申请日：2024-04-10
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种修整盘及修整盘制备方法，其中，修整盘包括盘体和若干金刚石颗粒，任意一个金刚石颗粒均具有相连接的切削部和安装部，安装部与盘体固定连接，切削部呈锥形，切削部适于与抛光垫抵接；若干安装部分布在盘体的一侧表面，若干切削部的顶端均位于同一平面内。切削部呈锥形，避免了切削部为平面或线条，采用该且切削部，减少了修整过程中切削部与抛光垫的接触面积，从而可增加切削部的压入深度，以提高对抛光垫的切削效率和对碎屑的清除效果；由于各个切削部的顶端均位于同一平面内，因此在修整过程中，各个切削部均参与作业，该修整盘兼顾切削效率和切削效果的同时，采用的金刚石颗粒少，从而降低了修整盘的成本。
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公开(公告)号：CN117921449A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410275716.6
申请日：2024-03-11
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及抛光技术领域，具体涉及一种碳化硅衬底化学机械平坦化的方法，包括：将二氧化铈作为磨料并与溶剂混匀以获取抛光液；所述抛光液中包括氧化剂；采用硬质抛光垫并结合抛光液对碳化硅衬底进行抛光处理即可。通过本发明的方法可以在只采用二氧化铈磨料抛光液和硬质抛光垫的条件下实现碳化硅衬底抛光处理，使得碳化硅晶圆的硅面的去除速率大大提升，可达4‑6μm/h，进而极大程度上缩短了CMP流程时间，而且可保证抛光处理后碳化硅衬底的表面粗糙度可达0.073‑0.083nm的良好的CMP结果。
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公开(公告)号：CN221861601U
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202420433634.5
申请日：2024-03-06
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种晶圆清洗装置，包括机架、活动支架和清洗结构。活动支架可移动地设置在机架上，适于相对机架在第一方向和第二方向往复运动。清洗结构包括第一刷体，第一刷体通过第一驱动机构设置在活动支架上，第一驱动机构适于带动第一刷体相对活动支架转动。其中，第一刷体具有朝向晶圆的第一清洁面，第一清洁面的边缘设置有第一凹槽。利用本实用新型提供的晶圆清洁装置可以避免颗粒团聚现象的出现，提高清洁效果，并且第一刷体的结构可以做小，从而能够降低清洁成本。
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