发明授权
- 专利标题: 一种节能型半导体生产用扩散炉
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申请号: CN202410657187.6申请日: 2024-05-25
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公开(公告)号: CN118602790B公开(公告)日: 2024-10-22
- 发明人: 赵勤耀 , 宋广憞
- 申请人: 杭州欧诺半导体设备有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市钱塘区河庄街道青西二路1099号综合楼602-196号
- 专利权人: 杭州欧诺半导体设备有限公司
- 当前专利权人: 杭州欧诺半导体设备有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市钱塘区河庄街道青西二路1099号综合楼602-196号
- 代理机构: 杭州麦知专利代理事务所
- 代理商 容富强
- 主分类号: F27D9/00
- IPC分类号: F27D9/00 ; F27D5/00 ; H01L21/687 ; H01L21/67 ; H01L21/22
摘要:
本发明属于半导体扩散技术领域,具体的说是一种节能型半导体生产用扩散炉,包括安装架、扩散炉组件、气管、升降组件和晶舟;本发明通过升降组件带动晶舟向炉筒内部移动,密封机构对降温筒上端开口与一号连接件侧壁之间的缝隙进行密封,使气体与晶圆产生沉积反应;升降组件带动一号连接件向下移动,带动晶舟向下移动,密封机构对降温筒上端开口与连接结构侧壁之间的缝隙进行密封,对炉筒下端进行密封,冷却气源持续工作,对晶圆进行降温;密封机构对降温筒上端开口与连接结构侧壁之间的缝隙进行密封,降低炉筒内热量的流失速度,降低下次使用时需要提升的温度,降低能耗;密封机构与升降组件配合,方便晶舟上下移动,提高扩散炉的便利性。
公开/授权文献
- CN118602790A 一种节能型半导体生产用扩散炉 公开/授权日:2024-09-06