公开(公告)号：CN118602790B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410657187.6

申请日：2024-05-25

申请人： 杭州欧诺半导体设备有限公司

发明人： 赵勤耀 ,  宋广憞

IPC分类号： F27D9/00 ,  F27D5/00 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/22

摘要： 本发明属于半导体扩散技术领域，具体的说是一种节能型半导体生产用扩散炉，包括安装架、扩散炉组件、气管、升降组件和晶舟；本发明通过升降组件带动晶舟向炉筒内部移动，密封机构对降温筒上端开口与一号连接件侧壁之间的缝隙进行密封，使气体与晶圆产生沉积反应；升降组件带动一号连接件向下移动，带动晶舟向下移动，密封机构对降温筒上端开口与连接结构侧壁之间的缝隙进行密封，对炉筒下端进行密封，冷却气源持续工作，对晶圆进行降温；密封机构对降温筒上端开口与连接结构侧壁之间的缝隙进行密封，降低炉筒内热量的流失速度，降低下次使用时需要提升的温度，降低能耗；密封机构与升降组件配合，方便晶舟上下移动，提高扩散炉的便利性。

公开(公告)号：CN118602790A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410657187.6

申请日：2024-05-25

申请人： 杭州欧诺半导体设备有限公司

发明人： 赵勤耀 ,  宋广憞

IPC分类号： F27D9/00 ,  F27D5/00 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/22

摘要： 本发明属于半导体扩散技术领域，具体的说是一种节能型半导体生产用扩散炉，包括安装架、扩散炉组件、气管、升降组件和晶舟；本发明通过升降组件带动晶舟向炉筒内部移动，密封机构对降温筒上端开口与一号连接件侧壁之间的缝隙进行密封，使气体与晶圆产生沉积反应；升降组件带动一号连接件向下移动，带动晶舟向下移动，密封机构对降温筒上端开口与连接结构侧壁之间的缝隙进行密封，对炉筒下端进行密封，冷却气源持续工作，对晶圆进行降温；密封机构对降温筒上端开口与连接结构侧壁之间的缝隙进行密封，降低炉筒内热量的流失速度，降低下次使用时需要提升的温度，降低能耗；密封机构与升降组件配合，方便晶舟上下移动，提高扩散炉的便利性。