本发明公开了一种低损耗4H‑SiC结势垒肖特基二极管，包括：衬底、叠加于衬底上的掺杂浓度自顶部至底部逐渐降低的4H‑SiC漂移层、叠加于4H‑SiC漂移层上的凸状阶梯沟道层、叠加于凸状阶梯沟道层的顶部表面的肖特基势垒调制层、凸状阶梯沟道层的阶梯部和肖特基势垒调制层的两侧通过离子注入形成的p+型电场掩蔽区、叠加于p+型电场掩蔽区和肖特基势垒调制层之上的肖特基接触层、叠加于肖特基接触层之上的阳极金属层、叠加于衬底之下的欧姆接触层和叠加于欧姆接触层之下的阴极金属层。本发明有效减小了因开启电压过低带来的反向漏电、减小了导通电阻，避免了高损耗的问题发生，使得二极管的功率耗散大大降低。