本发明公开了一种碳化硅气相外延室，涉及半导体技术领域，旨在解决碳化硅气相外延室内壁附着颗粒物导致外延生长效果差的技术问题，包括气相基座，本发明通过在气相基座上设置滑移机构，在滑移机构上设置外延生长机构，将外延生长机构设置为螺旋状的第一反应壳体及第二反应壳体，使得壳体通过合离机构与滑移机构实现合并构成筒形生长腔用于碳化硅外延生长状态，旋离形成分离的两个反应壳体构成生长腔内壁清理状态，本发明通过螺旋分离的设计，生长腔可以轻松拆分为两部分，使得内壁的清理工作变得简单快捷，减少内壁附着的颗粒物杂质对外延层生长过程的影响，从而提高外延层的纯度和质量，同时减少清理难度，提高设备维护的效率。