本发明涉及一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法，包括：获取外延片；在势垒层上生长第一介质层；刻蚀栅极区域的所述第一介质层至暴露所述势垒层的上表面，以形成栅极窗口；在暴露所述沟道层的所述栅极窗口内和所述势垒层上生长第二介质层；刻蚀部分区域的所述第二介质层和该第二介质层正下方的第一介质层，暴露势垒层，以形成两个有源区区域；在有源区区域内进行离子注入，以形成离子注入区域，之后进行退火处理，形成欧姆接触；在势垒层、离子注入区域和T型的第二介质层上生长第一介质层；去除T型的第二介质层，以在栅极窗口和第一介质层上制备T型的栅电极；去除有源区区域处的第一介质层，之后在离子注入区域上生长源电极和漏电极。本发明提高金了属线与半导体之间的对准精度，改善了器件制造精度，性能更加优越。