-
公开(公告)号：CN118629868A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310220045.9
申请日：2023-03-07
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法，包括：获取外延片；在势垒层上生长第一介质层；刻蚀栅极区域的所述第一介质层至暴露所述势垒层的上表面，以形成栅极窗口；在暴露所述沟道层的所述栅极窗口内和所述势垒层上生长第二介质层；刻蚀部分区域的所述第二介质层和该第二介质层正下方的第一介质层，暴露势垒层，以形成两个有源区区域；在有源区区域内进行离子注入，以形成离子注入区域，之后进行退火处理，形成欧姆接触；在势垒层、离子注入区域和T型的第二介质层上生长第一介质层；去除T型的第二介质层，以在栅极窗口和第一介质层上制备T型的栅电极；去除有源区区域处的第一介质层，之后在离子注入区域上生长源电极和漏电极。本发明提高金了属线与半导体之间的对准精度，改善了器件制造精度，性能更加优越。
-
公开(公告)号：CN115910781A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211434356.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了大尺寸晶圆透明GaN HEMT器件的制备方法，具体为：在大尺寸硅基氮化镓HEMT晶圆上进行系列器件制备工艺，包括欧姆电极制备、台面隔离和肖特基栅极制备等；在正面工艺结束后将晶圆翻转临时键合到载片上；将硅基氮化镓HEMT晶圆的硅衬底去除；然后将透明衬底与氮化镓异质晶圆紧密地结合起来；最后解晶圆正面的临时键合。本发明的方法，借助硅基氮化镓HEMT晶圆，可以实现6英寸、8英寸或者更大尺寸晶圆制备；在硅衬底上完成外延生长和器件制备后将其转移到透明衬底上，保证了整体透明性，避免了直接在透明衬底晶圆上加工GaN HEMT器件。
-
公开(公告)号：CN119730294A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411639160.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，且公开了一种高长期可靠性的氮化镓射频器件结构及其制备方法，势垒层表面两端设置有源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间设置栅电极，衬底层和III‑N复合缓冲层内部刻蚀有凹槽，金属层既附着于衬底层的底部和凹槽内侧壁处，同时也附着于凹槽内III‑N复合缓冲层的侧壁处和沟道层的底部，凹槽位于栅电极附近靠近漏电极一侧，沟道层和势垒层形成异质结，沟道层和势垒层形成的异质结界面且靠近沟道层的一侧形成二维电子气2DEG，作为氮化镓器件的导电沟道，金属层能够将III‑N复合缓冲层中积累的空穴通过接地的方式抽取出去，从而抑制了关态工作时高漏极电压导致的复合缓冲层中空穴积累，提高了器件的长期稳定性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN117153867A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311022048.8
申请日：2023-08-14
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种垂直FinFET结构的晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、漏极接触层；设置于漏极接触层之上的漂移层；设置于鳍部之上的沟道层；设置于沟道层之上的源极接触层；设置于漂移基底层之上的第一势垒层和第二势垒层；设置于漂移基底层之上的两个栅电极；设置于第一势垒层、源极接触层和第二势垒层之上的源电极；设置于漏极接触层上表面的两端的两个漏电极。本发明可以利用异质结结构的自发极化和压电极化特性在界面附近形成高迁移率的二维电子气导电沟道，由此可以显著提高载流子迁移率和导电性。
-
公开(公告)号：CN115312378A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211024320.1
申请日：2022-08-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789463A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411623428.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法，包括金刚石衬底，终端表面位于金刚石衬底表面，由若干个沟槽的侧面、底面和鳍型台面顶面连接形成，P+金刚石层分别位于金刚石终端表面的两端，源电极位于终端表面的一侧的P+金刚石层之上，漏电极位于终端表面的源电极相对的另一端的的P+金刚石层之上，栅介质覆盖在源电极和漏电极中间的终端表面上，栅电极位于栅介质上，且位于源电极和漏电极的之间，在同一水平侧向尺寸下增大了表面二维空穴气的密度，提高了金刚石晶体管的电流密度，降低了金刚石晶体管的导通电阻，也提高了栅电极对二维空穴气沟道的栅控能力，减少了金刚石晶体管的关态电流和功耗。
-
公开(公告)号：CN119065060A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410981109.1
申请日：2024-07-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法。该方法包括在薄膜铌酸锂光波导芯片表面沉积保护层、涂覆光刻胶、切割、去胶和刻蚀抛光的步骤，所述刻蚀抛光的抛光液含有NH4OH和H2O2。本发明的抛光方法，通过采用含有NH4OH和H2O2的抛光液对薄膜铌酸锂波导端面进行化学腐蚀抛光，得到平滑的光波导端面，具有成本低，效率高，耗时短的优点。
-
公开(公告)号：CN119049962A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411160340.0
申请日：2024-08-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT中欧姆接触电极的制备方法，其方法包括：在透明氮化镓晶圆材料上光刻源漏欧姆接触区域，对源漏区域进行欧姆凹槽刻蚀，淀积常规不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明的欧姆金属与沟道层氮化镓材料反应，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；酸洗去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明导电材料，与存在大量氮空位形成N型重掺杂的沟道层氮化镓材料和2DEG形成欧姆接触电极；本方法先沉积不透明欧姆金属，再沉积透明导电材料，透明材料通过N型重掺杂区域与2DEG沟道接触，解决了透明材料直接沉积在晶圆上难以形成良好欧姆接触的问题，降低了欧姆接触阻值，提高了透明氮化镓HEMT的输出电流，且工艺简单、易于实现、效果突出。
-
公开(公告)号：CN118782614A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410855907.X
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种基于还原技术实现的SnOx基反相器结构和制备方法。所述SnOx基反相器的器件结构包括:衬底；PMOS沟道层，NMOS沟道层，位于所述衬底上；PMOS漏电极，PMOS栅电极，PMOS源电极，位于所述PMOS沟道层上；NMOS漏电极，NMOS栅电极，NMOS源电极，位于所述NMOS沟道层上；保护介质层，位于所述NMOS沟道层、NMOS漏电极、NMOS源电极、NMOS栅电极上。所述制备方法包括在衬底层上淀积n型SnO2，对部分SnO2进行还原处理，形成SnO，呈现p型特性，进而基于所获得的n型SnO2和p型SnO进行栅、漏、源电极制备，获得SnOx基反相器。本发明的SnOx基反相器工艺步骤简单、制作成本低，性价比较高。
-
公开(公告)号：CN115241292A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210768280.5
申请日：2022-07-01
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种垂直氮化镓基鳍式射频晶体管及制备方法，射频晶体管包括：衬底层；漏极接触层，所述漏极接触层设置于所述衬底层之上；沟道层，所述沟道层设置于部分所述漏极接触层之上；源极接触层，所述源极接触层设置于所述第二沟道子层之上；两个漏电极，两个所述漏电极均设置于所述漏极接触层的两端，且所述沟道层位于两个所述漏电极之间；两个栅电极，两个所述栅电极均设置于所述第一沟道子层之上，所述第二沟道子层位于两个所述栅电极之间，且所述栅电极的侧边与所述第二沟道子层的侧边相接处；源电极，源电极设置于源极接触层之上。本发明提出一种采用垂直鳍片结构的射频晶体管，栅长由栅电极金属材料的厚度决定，更容易实现超短栅长。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.042 seconds)
