发明公开
- 专利标题： 深度学习人工神经网络中的电参数的校准
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申请号： CN202280090659.3申请日： 2022-04-26
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公开(公告)号： CN118633126A公开(公告)日： 2024-09-10
- 发明人: H·V·特兰
- 申请人： 硅存储技术股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人： 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 邵月星
- 优先权： 17/724,415 20220419 US 17/724,415 20220419 US
- 国际申请： PCT/US2022/026363 2022.04.26
- 国际公布： WO2023/154073 EN 2023.08.17
- 进入国家日期： 2024-07-31
- 主分类号： G11C11/54
- IPC分类号： G11C11/54 ; G11C29/02
摘要：
公开了用于在深度学习人工神经网络中执行各种电参数的校准的多个示例。在一个示例中，一种方法包括：调整施加于人工神经网络中的一个或多个非易失性存储器单元的偏置电压；对该人工神经网络中的该一个或多个非易失性存储器单元执行性能目标检查；以及重复该调整和执行，直到该性能目标检查指示电参数在预先确定的范围内。
