发明公开
- 专利标题： 非挥发性存储器阵列及其驱动电路、擦除方法、芯片
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申请号： CN202310269341.8申请日： 2023-03-17
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公开(公告)号： CN118675585A公开(公告)日： 2024-09-20
- 发明人: 廖少武 , 董艺 , 祝崇智 , 杨攀 , 郝香池 , 唐楠 , 柏殷实
- 申请人： 上海复旦微电子集团股份有限公司
- 申请人地址： 上海市杨浦区国泰路127号复旦国家大学科技园4号楼
- 专利权人： 上海复旦微电子集团股份有限公司
- 当前专利权人： 上海复旦微电子集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市杨浦区国泰路127号复旦国家大学科技园4号楼
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 张英英
- 主分类号： G11C16/08
- IPC分类号： G11C16/08 ; G11C16/14 ; G11C16/30 ; G11C16/32 ; G11C16/04 ; G11C5/02
摘要：
本发明公开一种非挥发存储器阵列及其驱动电路、擦除方法，该存储器阵列包括：多组存储单元阵列，每组存储单元阵列包括多个存储单元，同一组内的所述多个存储单元连接同一字线、并连接不同位线，所有存储单元连接同一源线；至少两组存储单元阵列共用同一深N阱和同一P阱。本发明方案可以缩小存储器阵列面积，并保证对存储单元擦写的可靠性和性能。
