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公开(公告)号：CN118800304A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410787448.6
申请日：2024-06-18
申请人： 群联电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种电性参数调整方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：检测可复写式非易失性存储器模块的状态；响应于可复写式非易失性存储器模块的状态符合第一条件，发送单阶读取指令，其中单阶读取指令指示基于特定电压来读取第一实体单元，且特定电压为对应于第一实体单元的读取导通电压；以及根据单阶读取指令的读取结果，调整可复写式非易失性存储器模块的至少一电性参数。由此，可提高可复写式非易失性存储器模块的可靠度并延长可复写式非易失性存储器模块的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118800300A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310391584.9
申请日：2023-04-11
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
摘要： 本申请公开了存储装置的编程验证方法和编程方法、电子设备及介质，该编程验证方法包括：在目标存储块中目标存储页的目标存储单元编程结束后，获取编程态的目标存储单元的第一电压；响应于第一电压大于第一验证电压，判断擦除态的存储单元的第二电压是否大于第二验证电压；其中，第一验证电压大于第二验证电压；若否，则确定目标存储页编程成功；若是，则确定目标存储块编程失败。本申请的编程验证方法能够针对目标存储页的存储单元在编程中，擦除态的存储单元可能出现的阈值电压过大而引起的目标存储页读干扰问题，提供一种可行的编程验证方式，提高了目标存储页的数据可靠性。
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公开(公告)号：CN113611345B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110117512.6
申请日：2021-01-28
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 李南宰
摘要： 提供了一种半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的擦除方法。该半导体存储器装置包括：层叠在源极导电图案和位线之间的多条字线；设置在多条字线和位线之间的至少两条漏极选择线，所述至少两条漏极选择线在位线的延伸方向上彼此间隔开；以及设置在所述至少两条漏极选择线和所述多条字线之间的擦除控制线。
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公开(公告)号：CN115035922B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202210767465.4
申请日：2022-06-30
申请人： 北海琛航电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种机械硬盘的数据擦除装置及擦除方法，涉及硬盘擦除机技术领域，包括机体，所述机体的底部设置有硬盘插口，所述机体的上端设置有电源插口，所述机体的前端设置有指示灯、控制按键和显示屏，所述机体的背部固定有定位块，所述定位块的中间转动连接有转动板，所述转动板的上端固定有减震板，所述减震板的上端固定有伸缩杆，所述伸缩杆的上端固定有调节板，本发明通过能转动的减震装置对硬盘进行支撑，吸收硬盘写入时产生的振动，从而降低硬盘与擦除装置之间的相对振动，保证硬盘与硬盘插口的连接稳定。
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公开(公告)号：CN118748032A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411141127.5
申请日：2024-08-20
申请人： 杭州积海半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种电荷泵稳压电路，包括：振荡频率提供电路，用于提供若干个振荡频率；Mux电路，用于接收若干个振荡频率和控制信号，根据控制信号的值选择对应的振荡频率作为驱动时钟频率，并输出驱动时钟频率，其中，振荡频率与控制信号的值一一对应；电荷泵，用于根据所述驱动时钟频率，将输入电压升压到对应的值，并输出电压；分压电路，用于将所述电荷泵的输出电压进行分压，以得到若干个电荷泵分压；比较电路，用于将若干个所述电荷泵分压与参考电压分别进行比较，以得到若干个比较值，并且将所述比较值作为所述Mux电路的控制信号。本发明减少了电荷泵输出电压的波纹并且提高了电荷泵输出电压的稳定精度。
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公开(公告)号：CN111459401B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010064644.2
申请日：2020-01-20
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 吴熙泰
摘要： 一种存储器系统包括非易失性存储器设备和控制器电路。非易失性存储器设备包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括存储器块和页面。每个单独的存储器块包括一个或多个页面的单独相应的集合。控制器电路被配置为控制非易失性存储器设备的操作。控制器电路包括：处理电路，被配置为：响应于确定在非易失性存储器设备的编程操作期间在存储器系统处发生了特定事件，对所述非易失性存储器设备执行恢复操作。恢复操作包括：确定与包括至少一个页面在内的第一组相关联的状态信息；基于状态信息，确定第二组中包括的页面的集合中的页面的数量；以及向第二组中包括的页面的集合中的一个或多个页面编程虚设数据。
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公开(公告)号：CN118645138A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311396126.0
申请日：2023-10-25
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 郭东勋
摘要： 本公开涉及存储器装置和存储装置。根据本公开的实施方式，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括在垂直于基板的方向上层叠的存储器单元，存储器单元中的每一个包括第一子存储器单元以及具有比第一子存储器单元的尺寸大的尺寸的第二子存储器单元；子存储器单元信息存储部，该子存储器单元信息存储部被配置成存储与第一子存储器单元和第二子存储器单元的尺寸有关的子存储器单元尺寸信息；外围电路，该外围电路被配置成对存储器单元当中的选定子存储器单元执行编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制外围电路以基于子存储器单元尺寸信息来将数据存储在第一子存储器单元和第二子存储器单元中的每一者中。
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公开(公告)号：CN118629460A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310224663.0
申请日：2023-03-09
申请人： 北京超弦存储器研究院
摘要： 本申请提供了一种NAND存储单元、NAND存储器及其访问方法。该NAND存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和电容；电容的第一极与读字线连接，电容的第二极与第一晶体管的栅极连接，第一晶体管的栅极作为存储节点，用于存储写入的电信号；第一晶体管的栅极与第二晶体管的第一极连接，第一晶体管的第二极被配置为与源极线藕接，第二晶体管的栅极与写字线连接；第一晶体管的第一极和第二晶体管的第二极，被配置为与同一条位线藕接；或者，被配置为与不同的位线藕接。本申请实施例无需在控制栅极和沟道之间施加一个较高的电压完成擦除和写操作，从而提高了NAND存储器的擦除和写操作的速度并且能够降低功耗，改善存储器可靠性，提高存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113921065B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111160401.X
申请日：2021-09-30
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种存储器的编程方法，包括：提供一具有浮栅的存储结构，将存储结构的源极接地；在漏极及衬底分别施加电压，形成电场，产生电子空穴对，形成一次电子，其中，施加于衬底的电压小于施加于漏极的电压；在预定时间内，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击存储结构中的衬底，产生二次电子；在栅极及衬底分别施加电压，施加于衬底的电压小于施加于栅极的电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发进行编程，可以提高编程效率，降低功耗，编程读取电流大，对隧穿氧化层损伤小。
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公开(公告)号：CN118335152A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410748903.1
申请日：2024-06-12
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司 , 武汉泰存科技有限公司
摘要： 本申请涉及存储技术领域，提供了一种闪存颗粒筛选方法及装置，该方法包括：对多组样本闪存依次进行不同次数的编程擦除操作，对多组样本闪存在第一预设温度下写入数据后，然后在不同的多个第二预设温度下进行读取数据，并根据读取数据的信息确定闪存的跨温读写能力边界；对经过第二预设温度后的多组样本闪存，在第一预设温度下再次写入数据，并根据在第一预设温度下的二次读取数据信息确定闪存在不同时间的数据保持能力边界；根据跨温读写能力边界及数据保持能力边界确定在第一预设温度下的第一限制条件和第二限制条件并对闪存进行筛选，以获得筛选结果，本申请可以快速有效的筛选出需要的低温闪存。
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