发明公开
- 专利标题： 半导体器件和制造该半导体器件的方法
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申请号： CN202311384528.9申请日： 2023-10-24
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公开(公告)号： CN118676144A公开(公告)日： 2024-09-20
- 发明人: 梁正吉 , 金太贤 , 河泰元
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 孙尚白; 范心田
- 优先权： 10-2023-0035065 20230317 KR
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L21/8234
摘要：
公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；第一区域上的有源区域和第二区域上的外围有源区域；有源区域上的沟道图案；外围有源区域上的外围沟道图案；沟道图案上的第一栅电极；以及外围沟道图案上的第二栅电极。第二栅电极的线宽大于第一栅电极的线宽，并且第一栅电极和第二栅电极之间的高度差小于约10nm，并且第二栅电极的顶表面具有双凹形状。
IPC分类:
