公开(公告)号：CN104299986A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410151913.3

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN104299986B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201410151913.3

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN104241142A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410095174.0

申请日：2014-03-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  李哲雄 ,  金泰善 ,  朴商德 ,  尹范濬 ,  河泰元

IPC分类号： H01L21/441

CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： 本发明提供了制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在第二导电层上形成掩模图案，该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层（BARC）；以及利用掩模图案除去第一导电层。

公开(公告)号：CN109727979B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201811260335.1

申请日：2018-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪世基 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  尹泰应 ,  河泰元 ,  徐正埙 ,  尹涩琪

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。

公开(公告)号：CN105321883B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201510313914.8

申请日：2015-06-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  安智焕 ,  李光烈 ,  河泰元 ,  韩政男

IPC分类号： H01L21/8238

摘要： 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层；沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；沿着第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；分别在第一下导电层和第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；在形成第一和第二覆盖层之后，进行热处理；在进行热处理之后，去除第一和第二覆盖层以及第一和第二下导电层；以及分别在第一和第二电介质层上形成第一和第二金属栅极结构。

公开(公告)号：CN107039432A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610916290.3

申请日：2016-10-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 闵宣基 ,  朴起宽 ,  姜尚求 ,  金成洙 ,  金柱然 ,  柳庚玟 ,  李在训 ,  河泰元

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0922

摘要： 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括：形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第一比值的第一栅电极；形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第二比值的第二栅电极，其中第二比值小于第一比值；形成在第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物；形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；以及覆盖第一栅间隔物和第二栅间隔物的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN103515425A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310261481.7

申请日：2013-06-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  河泰元

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/42372 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/495 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4966

摘要： 本公开提供了半导体器件、晶体管和集成电路器件。提供具有包括扩散阻挡层的金属栅的集成电路器件及其制造方法。该器件可以包括栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上的第一导电类型功函数调节膜和在第一导电类型功函数调节膜上的金属栅图案。该器件可以包括在栅极绝缘膜与金属栅图案之间的钴膜以减少从金属栅图案到栅极绝缘膜中的扩散。

公开(公告)号：CN118676144A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311384528.9

申请日：2023-10-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁正吉 ,  金太贤 ,  河泰元

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8234

摘要： 公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；第一区域上的有源区域和第二区域上的外围有源区域；有源区域上的沟道图案；外围有源区域上的外围沟道图案；沟道图案上的第一栅电极；以及外围沟道图案上的第二栅电极。第二栅电极的线宽大于第一栅电极的线宽，并且第一栅电极和第二栅电极之间的高度差小于约10nm，并且第二栅电极的顶表面具有双凹形状。

公开(公告)号：CN108807280B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810677304.X

申请日：2014-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金柱然 ,  张亨淳 ,  尹钟密 ,  河泰元

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

公开(公告)号：CN110010603B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201811532040.5

申请日：2018-12-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 河泰元 ,  金柱然 ,  李相旻 ,  洪文善 ,  洪世基

IPC分类号： H01L27/088

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；以及在衬底的有源区上的第一晶体管至第三晶体管，第一晶体管至第三晶体管中的每个包括在衬底上的电介质层、在电介质层上的金属层以及在电介质层和金属层之间的阻挡层。第一晶体管和第二晶体管中的每个还包括在电介质层和阻挡层之间的功函数层。其中第三晶体管的阻挡层与第三晶体管的电介质层接触，以及其中第二晶体管的阈值电压大于第一晶体管的阈值电压并且小于第三晶体管的阈值电压。