本申请涉及一种半导体器件栅氧退化机理的诊断方法，包括：提供半导体器件，测量获取所述半导体器件在初始状态下的第一动态电容数据及经老化试验后的第二动态电容数据；根据所述第一动态电容数据和所述第二动态电容数据进行分析，得到所述半导体器件的动态电容变化趋势；根据所述动态电容变化趋势分析获取所述半导体器件中栅氧化层的电荷变化情况；根据电荷变化情况诊断所述半导体器件中所述栅氧化层的退化机理。本申请实现了半导体器件中栅氧化层中不同区域退化情况的精确诊断，有助于准确分析栅氧化层中的具体退化位置和缺陷类型。