本发明涉及半导体技术领域，提供一种隔离芯片层间介质层的制造方法及隔离芯片。所述方法包括：采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在金属层上生长低K介质材料形成第一层薄介质层；采用连续式的等离子增强化学气相淀积方法，采用高频与低频交替的射频频率，在第一层薄介质层表面生长低K介质材料形成第二层厚介质层；采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在第二层厚介质层表面生长低K介质材料形成第三层薄介质层；第一层薄介质层、第二层厚介质层及第三层薄介质层构成隔离芯片层间介质层。本发明采用脉冲式沉积和连续性沉积的方式交替生长低K介质膜，克服了现有技术中隔离芯片层间介质层粘附性较差、应力过大的缺陷。