一种保护集成电路晶凸块重工的方法
摘要:
本发明公开了集成电路晶凸块重工技术领域的一种保护集成电路晶凸块重工的方法,包括如下具体步骤:S1:在晶圆表面涂布一层的正性光刻胶,用来保护IC线路;S2:通过电浆轰击去除凸块或柱体表面的光刻胶;S3:蚀刻药液去除凸块或柱体,因为IC线路有光刻胶的保护可以完全避免蚀刻药液对线路的损伤;S4:去除金属阻挡层;S5:通过丙酮去光刻胶,丙酮对IC线路不会造成损伤。本发明所提出的重工方式,可以完全防止重工流程中药液对IC线路及Pad腐蚀,保证重工的安全性,可应用与所有后道凸块封装领域。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的(在半导体材料上制作电极的入H01L21/28)
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的(密封层入H01L21/56);以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积,例如绝缘层上的导电层或电阻层;这些层的后处理(电极的制造入H01L21/28)
H01L21/321 .......后处理
H01L21/3213 ........对该层进行物理的或化学的腐蚀,例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
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