本发明提供一种集成3C/4H‑SiC异构结和半超结的U槽栅积累型场效应晶体管及其制备方法，在3C/4H‑SiC异构结顶部进行离子注入形成n+型源层，刻蚀其中部制成U形槽，热氧化槽外表形成SiO2层，并在其上使用PECVD技术生长ploy‑Si栅；热氧化栅顶部形成SiO2层来隔离栅层与源层；在栅层、源层上面和衬底底部分别蒸镀欧姆接触的合金栅极、源极、漏极，即得UACCUFET。不仅导通电阻很小，而且阻断时能抗高压，反向恢复时间极短。