本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。本申请的半导体器件包括一层或多层沿着第三方向垂直堆叠的存储单元、沿着第三方向延伸的字线、沿着第二方向延伸且至少部分环绕字线的位线；多层垂直堆叠的多个存储单元共用一条字线，且连接到不同的位线；各存储单元的晶体管的半导体层沿着第三方向延伸且全环绕字线；每个存储单元的电容器的第一电极沿着第一方向延伸且至少部分环绕半导体层，第一方向与第二方向交叉且均处于垂直于第三方向的平面内；各第一电极和位线分别环绕在半导体层的侧壁沿第三方向上的不同区域；晶体管的沟道方向与字线的延伸方向一致。本申请提供的存储器架构能够有效地提高存储密度而且制造工艺简单。